MOSFET a canale N da 30 V SISD5300DN

Il versatile MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V a canale N da 30 V di Vishay è dotato di tecnologia source flip in un contenitore PowerPAK® 1212-F di 3,3 x 3,3 mm. Pur avendo lo stesso ingombro del PowerPAK 1212-8S, SiSD5300DN offre una resistenza nello stato On del 18% inferiore per aumentare la densità di potenza, mentre la tecnologia source flip riduce la resistenza termica da +63 °C/W a +56 °C/W. Inoltre, la cifra di merito (FOM) del MOSFET rappresenta un miglioramento del 35% rispetto ai dispositivi della generazione precedente, il che si traduce in una riduzione delle perdite di conduzione e commutazione per risparmiare energia nelle applicazioni di conversione di potenza.

La tecnologia source flip del PowerPAK1212-F inverte le proporzioni consuete delle piazzole di messa a terra e sorgente, estendendo l'area della piazzola di messa a terra per fornire un percorso di dissipazione termica più efficiente e favorire così un funzionamento a temperature inferiori. Allo stesso tempo, il PowerPAK 1212-F riduce al minimo l'estensione dell'area di commutazione, contribuendo a ridurre l'impatto del rumore di traccia. Nel contenitore PowerPAK 1212-F, in particolare, la dimensione della piazzola sorgente aumenta di un fattore 10, da 0,36 mm a 4,13 mm, consentendo un miglioramento commisurato delle prestazioni termiche. Il design a gate centrale del PowerPAK1212-F semplifica inoltre la parallelizzazione di più dispositivi su una PCB a strato singolo.