MOSFET a canale N a 150 V SiRS5700DP

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            MOSFET a canale N a 150 V SiRS5700DP
  
                    I MOSFET di Vishay aumentano la densità di potenza e l'efficienza per soddisfare i requisiti degli alimentatori di prossima generazione

Immagine del MOSFET a 150 V a canale N SiRS5700DP di Vishay Siliconix SiRS5700DP-T1-RE3 di Vishay è un MOSFET a canale N all'avanguardia, dotato di tecnologia TrenchFET® Gen V. Questo MOSFET è stato progettato per offrire prestazioni eccezionali con una RDSonmolto bassa e un'alta cifra di merito (FOM), che lo rendono ideale per un'ampia gamma di applicazioni di gestione dell'alimentazione. Con una tensione drain-source (V_DS) di 150 V e una corrente di drain continuo (I_D) fino a 144 A, SiRS5700DP-T1-RE3 garantisce una conversione di potenza efficiente e una perdita di potenza minima. Il suo design robusto include test Rg e UIS al 100%, migliorando la dissipazione di potenza e riducendo la resistenza termica (R_thJC). Il contenitore PowerPAK® SO-8S ottimizza ulteriormente le prestazioni termiche, rendendo questo MOSFET adatto ad applicazioni ad alta affidabilità. Utilizzato nel raddrizzamento sincrono, nei convertitori c.c./c.c. o nel controllo e comando di motori, SiRS5700DP-T1-RE3 offre efficienza e affidabilità senza pari.