Vishay / Siliconix

MOSFET Gen V da 150 V SiR578DP

Il MOSFET di Vishay offre 7,3 mΩ nel suo contenitore PowerPAK® salvaspazio

Immagine dei MOSFET Gen V da 150 V SiR578DP di VishayIl MOSFET di potenza TrenchFET® Gen V di Vishay offre densità di potenza ed efficienza maggiori per topologie isolate e non. La bassissima resistenza nello stato On, il funzionamento ad alta temperatura fino a +175 °C e il contenitore salvaspazio PowerPAK contribuiscono a promuovere l'affidabilità a livello di scheda con una costruzione senza fili. I MOSFET TrenchFET Gen V offrono miglioramenti della FOM per una conversione di potenza più efficiente. Sono inoltre testati RG e UIS al 100%, a norma RoHS e privi di alogeni.

Caratteristiche
  • MOSFET di potenza TrenchFET Gen V
  • Prodotto a bassissima FOM RDSon x QG
  • Rapporto QGD/QGS ottimizzato
  • Eccellenti prestazioni di efficienza negli alimentatori
Applicazioni
  • Interruttori primari
  • Raddrizzamento sincrono di corrente per telecomunicazioni
  • Gestione di batterie
  • Mercati industriali

150 V Gen V SiR578DP MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneTipo FETTecnologiaTensione drain/source (Vdss)Quantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWSIR578DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWCanale NMOSFET (ossido di metallo)150 V4051 - Immediatamente$2.57Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2024-02-01

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