I FET SiC da 750 V Gen 4 aiutano a fornire progetti di alimentazione di prossima generazione

Basati su una configurazione cascode univoca, i FET SiC Generation 4 serie UJ4C/SC di onsemi sono classificati a 750 V e sono disponibili in opzioni da 6 a 60 mΩ. Questi dispositivi offrono cifre di merito per prestazioni eccellenti che riducono le perdite di conduzione e aumentano l'efficienza a velocità più elevate, al contempo migliorando il rapporto costi/benefici complessivo. Prestazioni di commutazione e Q_rr sono migliorati, così come le perdite E_on e E_off ad ogni dato valore di RDSon. Inoltre, livelli ridotti di E_oss e C_oss comportano basse perdite totali. Questi dispositivi possono essere pilotati in sicurezza con una tensione di pilotaggio del gate standard da 0 V a 12 V o 15 V. Un buon margine di rumore di soglia viene mantenuto con una tensione di soglia reale di 5 V e, come le generazioni precedenti, questi FET SiC possono essere utilizzati da tutti i valori tipici di tensione di pilotaggio IGBT Si, MOSFET Si e MOSFET SiC. Includono anche un morsetto di protezione del gate ESD incorporato. Molti dispositivi sono qualificati AEC-Q101.