Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

MOSFET industriali serie U-MOSVIII-H

Serie U-MOSVIII-H di Toshiba di MOSFET industriali di 60 V e 100 V con RDSon e bassa perdita di commutazione per applicazioni industriali e di illuminazione

Immagine dei MOSFET industriali serie U-MOSVIII-H di ToshibaI MOSFET di potenza industriali a 60 V SSM3K341 V e a 100 V SSM3K361 di Toshiba hanno bassa resistenza nello stato On e sono adatti per la commutazione del carico in televisori e illuminazione industriale. Sono anche adatti per sistemi di automazione industriale che richiedono una quantità di potenza medio/bassa.

La crescente richiesta di LED a risparmio energetico ha portato all'uso crescente di MOSFET a canale N come interruttori per i driver LED. SSM3K341R e SSM3K361R di Toshiba soddisfano questa domanda con una RDSon tipica migliore del settore per un contenitore SOT-23F (a VGS = 4,5 V) di 36 mΩ e 65 mΩ, rispettivamente, in base a uno studio interno di Toshiba condotto nel 2016. Inoltre, entrambi i dispositivi supportano una temperatura di canale massima di 175 °C, che permette loro di essere utilizzati in un ampio intervallo di applicazioni industriali difficili. Sono anche disponibili in un contenitore UDFN6 che è più compatto, ma che offre eccellente dissipazione del calore attraverso il grande nucleo mobile in metallo sulla parte inferiore.

Il contenitore SOT-23F riduce la dissipazione del calore risultante dalla perdita di attivazione di circa il 65% rispetto ai prodotti precedenti di Toshiba. Le dimensioni del contenitore compatto di questi MOSFET mantiene lo stesso livello di dissipazione del calore, riducendo l'ingombro complessivo del 64% circa rispetto a un contenitore SOT-89 convenzionale. TSOP6F è un contenitore simile ad alte prestazioni per SSM6N815R che ospita due MOSFET a canale N di 100 V.

Caratteristiche
  • MOSFET di potenza a canale N di piccole dimensioni
  • Contenitore SOT-23F standard del settore
  • Idoneo per applicazioni a 60 V/6 A e 100 V/3,5 A
  • Resistenza alle alte temperature, fino a +175 °C di temperatura di canale
  • Resistenza nello stato On leader del settore
    • Resistenza nello stato On di 36 mΩ (tipico) per SSM3K341R e SSM6K341NU
    • Resistenza nello stato On di 65 mΩ (tipico) per SSM3K361R e SSM6K361NU
Applicazioni
  • Alta temperatura industriale e automazione industriale
  • Interruttori per circuiti di boost sincrono/asincrono
  • Retroilluminazione a LED bianchi per televisori
  • Interruttore di carico on-off ad alta tensione

60 V and 100 V U-MOSVIII-H Series Industrial MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneTensione drain/source (Vdss)Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °CTensione di comando (RDSon max, RDSon min)Quantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23FSSM3K341R,LFMOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F60 V6 A (Ta)4V, 10V136221 - Immediatamente$0.60Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNBSSM6K341NU,LFMOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB60 V6 A (Ta)4V, 10V13704 - Immediatamente$0.61Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 60V 6A UFMSSM3K341TU,LFMOSFET N-CH 60V 6A UFM60 V6 A (Ta)4V, 10V23264 - Immediatamente$0.60Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23FSSM3K361R,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F100 V3,5 A (Ta)4,5V, 10V33629 - Immediatamente$0.66Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNBSSM6K361NU,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB100 V3,5 A (Ta)4,5V, 10V664 - Immediatamente$0.60Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 100V 3.5A UFMSSM3K361TU,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A UFM100 V3,5 A (Ta)4,5V, 10V11854 - Immediatamente$0.62Vedi i dettagli
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPFSSM6N815R,LFMOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPFGate livello logico, comando 4V100V2 A (Ta)0 - Immediatamente$0.60Vedi i dettagli
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOPSSM6J801R,LFMOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP20 V6 A (Ta)1,5V, 4,5V2489 - Immediatamente$0.38Vedi i dettagli
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23FSSM3J356R,LFMOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F60 V2 A (Ta)4V, 10V67232 - Immediatamente$0.36Vedi i dettagli
MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23FSSM3J351R,LFMOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F60 V3,5 A (Ta)4V, 10V41551 - Immediatamente$0.48Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2018-07-30

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