Convertitori step-down TPS54116-Q1

TI offre la soluzione di alimentazione DDR automotive TPS54116-Q1 con un convertitore c.c./c.c. VDDQ a 4 A, 2 MHz, LDO VTT a 1 A e uscita di riferimento bufferizzata VTTREF

Immagine dei convertitori step-down TPS54116-Q1 di Texas InstrumentsIl dispositivo TPS54116-Q1 di Texas Instruments è un convertitore step-down sincrono completo a 6 V, 4 A, con due MOSFET integrati e un regolatore a terminazione VTT a velocità dati doppia (DDR) source/drain a 1 A con una uscita di riferimento bufferizzata VTTREF. Il regolatore buck TPS54116-Q1 riduce al minimo la dimensione della soluzione integrando i MOSFET e riducendo le dimensioni dell'induttore con una frequenza di commutazione fino a 2,5 MHz. La frequenza di commutazione può essere impostata sopra la banda radio delle onde medie per applicazioni sensibili al rumore ed è sincronizzabile con un clock esterno. Il raddrizzamento sincrono mantiene la frequenza fissa sull'intero intervallo di carico in uscita. L'efficienza è massimizzata attraverso i MOSFET low-side da 25 mΩ e high-side da 33 mΩ integrati. Un limite di corrente di picco ciclo per ciclo protegge il dispositivo durante una condizione di sovracorrente ed è regolabile con un resistore al pin ILIM per ottimizzarlo per gli induttori più piccoli.

Il regolatore di terminazione VTT mantiene una rapida risposta ai transitori con capacità di uscita ceramica di appena 2 x 10 µF, riducendo il numero di componenti esterni. TPS54116-Q1 utilizza il telerilevamento di VTT per una migliore regolazione. L'utilizzo del pin di abilitazione per attivare una modalità di spegnimento riduce la corrente di alimentazione a 1 µA. Le soglie di blocco di sottotensione possono essere impostate con una rete resistiva su uno dei pin di abilitazione. Le uscite VTT e VTTREF vengono scaricate quando disabilitate con ENLDO. L'integrazione completa riduce al minimo l'ingombro del CI con un piccolo contenitore WQFN 4 x 4 mm dal profilo termico ottimizzato.

Caratteristiche
  • Qualificato AEC-Q100 con i seguenti risultati:
    • Intervallo di temperatura ambiente di funzionamento di grado 1: -40 ~ +125 °C
    • Livello 2 di classificazione ESD HBM del dispositivo
    • Livello C6 di classificazione ESD CDM del dispositivo
  • LDO con terminazione source/drain da 1 A con precisione c.c. di ±20 mV
    • Stabile con un condensatore MLCC da 2 x 10 µF
    • uscita di riferimento bufferizzata source/drain a 10 mA regolata nell'intervallo tra 49 e 51% di VDDQ
  • Pin di abilitazione indipendenti con isteresi e UVLO regolabile
  • Arresto termico
  • Soluzione di alimentazione per memoria DDR2, DDR3 e DDR3L a chip singolo
  • Convertitore buck sincrono a 4 A
    • MOSFET low-side da 25 mΩ e high-side da 33 mΩ integrati
    • Controllo della modalità corrente a frequenza fissa
    • Frequenza regolabile da 100 kHz a 2,5 MHz
    • Sincronizzabile con un clock esterno
    • Tensione di riferimento di 0,6 V ±1% rispetto alla temperatura
    • Limite di corrente di picco ciclo per ciclo regolabile
    • Avviamento monotonico con uscite pre-polarizzate
  • Contenitore WQFN 4 x 4 mm a 24 pin
  • TJ di funzionamento da -40  a 150 °C

TPS54116-Q1 Step-Down Converters

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWTQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN437 - Immediatamente$6.16Vedi i dettagli
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWRQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN681 - Immediatamente$5.23Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2016-10-05