Amplificatore operazionale TLV521

Texas Instruments offre l'amplificatore operazionale a ingresso CMOS RRIO singolo in nanopotenza da 350 nA TLV521 per sistemi sensibili ai costi

Immagine dell'amplificatore operazionale TLV521 di Texas InstrumentsL'amplificatore operazionale in nanopotenza a 350 nA TLV521 di Texas Instruments offre prestazioni ottimali in termini di prezzo nella famiglia di amplificatori operazionali in nanopotenza di TI. TLV521 ha un stadio di ingresso CMOS progettato con cura che consente una bassissima corrente di polarizzazione di 1 pA, riducendo in tal modo gli errori IBIAS e IOS che altrimenti avrebbero un impatto sulle applicazioni sensibili come situazioni con resistenza a megaohm, fotodiodo ad alta impedenza e rilevamento di carica. Inoltre, la protezione EMI incorporata riduce la sensibilità ai segnali RF indesiderati da fonti quali telefoni cellulari e lettori RFID.

TLV521 è disponibile nel contenitore SC70 a 5 pin e funziona da -40 a 125 °C.

Caratteristiche
(per VS = 3,3 V tip. se non diversamente indicato)
  • Corrente di alimentazione ultrabassa
    • 350 nA tip., 500 nA max
  • Ampio intervallo della tensione di funzionamento: da 1,7 a 5,5 V
  • Basso TCVOS di 1,5 µV/°C
  • VOS: 3 mV (max)
  • Corrente di polarizzazione di ingresso: 1 pA
  • PSRR: 100 dB
  • CMRR: 90 dB
  • Guadagno a circuito aperto: 110 dB
  • Prodotto della larghezza di banda a guadagno: 6 kHz
  • Velocità di variazione: 2,5 V/ms
  • Rumore della tensione di ingresso a f = 100 Hz 300 nV/√Hz
  • Intervallo di temperatura: da -40 a 125 °C
  • Ingresso e uscita rail-to-rail (RRIO)

TLV521 Operational Amplifier

ImmagineCodice produttoreDescrizioneVelocità di variazioneProdotto guadagno-larghezza di bandaCorrente - Polarizzazione ingressoQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
IC CMOS 1 CIRCUIT SC70-5TLV521DCKTIC CMOS 1 CIRCUIT SC70-50,0025V/µs6 kHz1 pA5630 - Immediatamente$0.92Vedi i dettagli
IC CMOS 1 CIRCUIT SC70-5TLV521DCKRIC CMOS 1 CIRCUIT SC70-50,0025V/µs6 kHz1 pA11592 - Immediatamente$0.74Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2016-09-01