IGBT field-stop Trench gate di grado automotive STGWA60V60DWFAG

Gli IGBT ad altissima velocità field-stop Trench gate di grado automotive da 600 V, 60 A di STMicroelectronics presentano un diodo SiC a ruota libera

Immagine degli IGBT field-stop Trench gate di grado automotive STGWA60V60DWFAG di STMicroelectronicsSTGWA60V60DWFAG di STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando un'avanzata struttura field-stop Trench gate proprietaria. Il dispositivo fa parte degli IGBT serie V, che rappresentano un compromesso ottimale tra perdite di commutazione e conduzione per massimizzare l'efficienza dei convertitori ad altissima frequenza. Inoltre, il coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo e la rigida distribuzione dei parametri consentono un funzionamento in parallelo più sicuro. Incapsulato insieme all'IGBT, è stato adottato un diodo al carburo di silicio: allo spegnimento del diodo SiC non si verifica alcun recupero e il comportamento di spegnimento capacitivo già minimo è indipendente dalla temperatura. La sua alta capacità di protezione dalla sovracorrente transitoria diretta garantisce una buona robustezza durante le fasi transitorie.

Caratteristiche
  • Qualificazione AEC-Q101
  • Massima temperatura di giunzione: TJ = 175 °C
  • VCE(sat) = 1,85 V (tip.) a IC = 60 A
  • Corrente di commutazione senza strascico
  • Rigida distribuzione dei parametri
  • Bassa resistenza termica
  • Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
  • Il diodo al carburo di silicio senza carica di recupero inverso è confezionato in configurazione a ruota libera

STGWA60V60DWFAG 600 V IGBT V series

ImmagineCodice produttoreDescrizioneTensione - Rottura collettore-emettitore (max)Corrente - Collettore (Ic) maxCorrente - Pulsata collettore (Icm)Quantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247STGWA60V60DWFAGIGBT TRENCH FS 600V 80A TO247600 V80 A240 A600 - Immediatamente$7.67Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2020-03-10