MOSFET da 600 V a 650 V della famiglia MDmesh™ M9

I MOSFET di STMicroelectronics consentono livelli di potenza più elevati e una maggiore densità di potenza per soluzioni più compatte

Immagine dei MOSFET da 600 V a 650 V della famiglia MDmesh™ M9 di STMicroelectronicsLa tecnologia M9 basata su silicio di STMicroelectronics beneficia di un processo di produzione multi-drain che consente di migliorare la struttura del dispositivo. Il prodotto risultante ha uno dei valori di carica di gate ridotti e di resistenza nello stato On più bassi tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida basati su silicio, ed è pertanto particolarmente adatto ad applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza eccezionale.

Caratteristiche
  • La migliore cifra di merito (RDSon x Qg) attualmente sul mercato
  • Attualmente la migliore RDSon del settore per l'intervallo di tensione di 650 V
  • Bassissima Qg
  • Robustezza dv/dt del MOSFET e dV/dt del diodo inverso più elevata
Vantaggi
  • Livelli di potenza più elevati
  • Maggiore densità di potenza e minori perdite di conduzione
  • Alta efficienza e basse perdite di energia in commutazione
  • Alta velocità di commutazione
  • Maggiore robustezza e affidabilità per progetti più compatti

MDmesh™ M9 Family 600 V to 650 V MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
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Data di aggiornamento: 2026-01-20
Data di pubblicazione: 2023-03-09