MOSFET RA1C030LDT5CL

RA1C030LD di ROHM è offerto in un contenitore WLCSP (1,0 x 0,6 mm) DSN1006-3 che sfrutta il processo CI proprietario di ROHM per ottenere bassa dissipazione di potenza e maggiore miniaturizzazione. In termini di cifra di merito che esprime la relazione tra le perdite di conduzione e di commutazione (resistenza nello stato On × Q_gd), è stato raggiunto un valore leader nel settore, inferiore del 20% rispetto ai prodotti standard nello stesso contenitore (1,0 x 0,6 mm o più piccolo), contribuendo a ridurre significativamente l'area su scheda e ad aumentare l'efficienza in una varietà di dispositivi compatti. Allo stesso tempo, l'esclusiva struttura del contenitore di ROHM fornisce una protezione isolata per le pareti laterali (a differenza dei prodotti standard nello stesso contenitore, privi di protezione). Ciò riduce il rischio di cortocircuiti dovuti al contatto tra i componenti nei dispositivi compatti che devono ricorrere al montaggio ad alta densità per vincoli di spazio, contribuendo a un funzionamento più sicuro.