MOSFET SJ a canale N da 650 V

I MOSFET a canale N da 650 V di PANJIT sono ottimizzati per un supporto di progettazione semplice ed efficiente per la progettazione di circuiti di conversione di potenza in dispositivi quali convertitori c.a./c.c. e c.c./c.c. I MOSFET SJ di PANJIT richiedono un minore sforzo di progettazione da parte dei progettisti di sistemi grazie alle prestazioni di commutazione adeguate e alla bassa RDSon consentendo dimensioni contenute del sistema con bassa dissipazione di calore.

I MOSFET SJ di PANJIT forniscono eccellenti prestazioni di robustezza dv/dt dei body diode. La forte robustezza di questo body diode può rendere più affidabili i sistemi che utilizzano i body diode come parte del funzionamento dell'intero sistema, come i convertitori a ponte intero a variazione di fase (PSFB) e LLC. È ottimizzato per prestazioni e recupero rapido Q_rr/T_rr con commutazione ad alta velocità e bassa RDSon da 60 mΩ a 180 mΩ. Disponibili in vari contenitori, tra cui TO-252AA, ITO-220AB-F, TO-220AB-L, TO-247AD-3LD e TOLLK, sono ideali per applicazioni di alimentazione di server, telecomunicazioni e industriali. Questi prodotti presentano un composto di stampaggio ecologico conforme allo standard IEC 61249 e alla direttiva RoHS 2.0 dell'UE.