MOSFET a canale N automotive da 30 V e 40 V

I MOSFET di potenza a canale N di PANJIT sono progettati con tecnologia Split-Gate Trench (SGT) avanzata per ottimizzare la commutazione rapida e l'elevata efficienza energetica. La bassa resistenza nello stato On in un design compatto del die offre un'eccellente cifra di merito (FOM), riducendo le perdite sia di conduzione che di commutazione. La struttura Trench ottimizzata supporta velocità di commutazione elevate, migliorando al contempo la robustezza e rendendola ideale per applicazioni di alimentazione ad alta corrente e ad alta efficienza. Il MOSFET è offerto in contenitori DFN3333-8L, DFN5060-8L e DFN5060B-8L, è qualificato AEC-Q101 per applicazioni automotive, è conforme agli standard per composti di stampaggio ecologici secondo la norma IEC 61249 ed è privo di piombo in conformità con la direttiva RoHS 2.0 dell'UE, a sostegno di una progettazione sostenibile.