I prodotti standard onsemi alzano l'asticella

I prodotti standard di onsemi offrono soluzioni compatte e ad alta efficienza per i prodotti elettronici consumer, industriali e automotive. Il portafoglio onsemi combina circuiti integrati con componenti discreti come transistor, diodi, LDO, amplificatori, logiche, EEPROM e dispositivi di protezione per aiutare gli ingegneri a semplificare i progetti, potenziare le interfacce e migliorare l'affidabilità.

Con oltre 6000 codici componente in più di 170 contenitori, tra cui opzioni ultraminiaturizzate e innovazioni all'avanguardia nel settore, onsemi consente uno sviluppo più rapido e un approvvigionamento semplificato grazie ai componenti costitutivi interoperabili supportati dalla piattaforma Treo. Si tratta di una piattaforma tecnologica unificata che integra rilevamento intelligente e potenza. Questa adattabilità servirà un ampio spettro di settori e applicazioni.

  • Logiche
  • EEPROM
  • LDO
  • Amplificatori
  • Isolamento
  • Transistor
  • Protezione
  • Diodi

Logiche

Portafoglio: onsemi è al secondo posto nei dispositivi logici. La nostra vasta gamma di prodotti ci posiziona come fornitore unico, offrendo la qualità migliore della categoria.

Prestazioni ad alta velocità: supporta velocità di trasmissione dati fino a 140 Mbps, consentendo una trasmissione dati veloce e affidabile per applicazioni esigenti e ad alte prestazioni.

Intervallo di tensione flessibile: con funzionamento da 0,9 V a 18 V, i nostri dispositivi si interfacciano facilmente con diversi livelli di alimentazione e sono ideali per applicazioni che spaziano dal settore automotive a quello industriale.

Integrazione del sistema: i traslatori di livello forniscono una conversione rapida e affidabile del segnale tra domini di tensione diversi, contribuendo a mantenere l'efficienza e le prestazioni del sistema.

Logica standard

  • Da 0,9 V a 18 V c.c.
  • Miniporta/multiporta

Traslatori di tensione

  • Bidirezionale/unidirezionale
  • Autorilevamento
  • 1/2/4/8 canali

Interfaccia

  • Espansori di I/O I²C
  • Traslatore I²C/I3C

Commutatori

  • Commutatore analogico
  • Commutatori per bus ad alta velocità
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Prodotti in evidenza

NL5X4002DR2G

NL5X4002DR2G

Traslatore di livello di tensione bidirezionale 1 circuito 2 canali 24 Mbps 8-SOIC

NL3X5004MU2TAG-Q

NL3X5004MU2TAG-Q

Traslatore di livello di tensione bidirezionale 1 circuito 4 canali 140 Mbps 12-UQFN (1,7x2)

NC7WZ14P6X

NC7WZ14P6X

Inverter IC 2 canali a trigger di Schmitt SC-88 (SC-70-6)

EEPROM

Conservazione dei dati e affidabilità: fino a 4 milioni di cicli di scrittura e una conservazione dei dati di 200 anni garantiscono l'affidabilità a lungo termine per l'archiviazione critica.

Ampia gamma di temperature: i limiti di impiego per grado automotive (0 °C-150 °C) e industriale (-40 °C-125 °C) lo rendono ideale per gli ambienti più difficili.

Garanzia EEPROM: l'affidabilità della conservazione dei dati a lungo termine è fondamentale, soprattutto in condizioni estreme dove la precisione è fondamentale.

Prodotti standard onsemi: riconosciuti per la leadership, la qualità e la capacità di produrre grandi volumi.

Logica standard

  • 12 VVO
  • Traslatori Eiminate

Automotive

  • Alta temperatura (150 °C)
  • Cicli weRe AM

Ampio portafoglio

  • 2 kb - 1 mb
  • SPI & Interfaccia I²C
  • Contenitori vari
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Prodotti in evidenza

N24C256X-1CBT5G

N24C256X-1CBT5G

Memoria EEPROM in CI 256 Kbit I²C 1 MHz 450 ns 4-WLCSP (1x1)

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CAT24C256WI-GT3

CAT24C256WI-GT3

Memoria EEPROM in CI 256 Kbit I²C 1 MHz 500 ns 8-SOIC

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CAT24C512WI-GT3

CAT24C512WI-GT3

Memoria EEPROM in CI 512 Kbit I²C 1 MHz 900 ns 8-SOIC

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LDO

Prestazioni: funzionalità leader del settore realizzate per le applicazioni impegnative.

Affidabile e di lunga durata: progettato per un ciclo di vita prolungato in ambienti industriali e automotive.

Supporto alla progettazione flessibile: risorse come i diagrammi a blocchi consentono di progettare sistemi innovativi utilizzando tutte le soluzioni onsemi.

Configurazioni versatili: uscita regolabile fino a 37 V e molteplici opzioni di contenitore.

Qualità di grado automotive: qualificato AEC-Q100 con supporto applicativo dedicato.

Alta temperatura

  • Temperatura di funzionamento della giunzione più elevata, progettata per queste temperature di funzionamento più elevate
  • Transistor progettati specificamente per queste temperature di esercizio più elevate
  • Tj (temperatura di giunzione) di funzionamento = 150 °CTj = Ta +25 °C per alta PdTj=Ta + Pd *Rɵja

Basso VDO e IQ

  • Efficienza migliorata
  • Fornisce una minore diseccitazione di tensione e una precisione più rigorosa

Basso VDO e IQ

  • Alta temperatura (150 °C)
  • Cicli weRe AM
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Prodotti in evidenza

NCP737ADN330R2G

NCP737ADN330R2G

Regolatore di tensione lineare in CI, 1 uscita positiva fissa, 100 mA 8-MSOP

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NCV4264-2CST50T3G

NCV4264-2CST50T3G

Regolatore di tensione lineare in CI, 1 uscita positiva fissa, 100 mA SOT-223 (TO-261)

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NCV47701PDAJR2G

NCV47701PDAJR2G

Regolatore di tensione lineare in CI, 1 uscita positiva regolabile, 350 mA 8-SOIC

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Amplificatori

Amplificatori di rilevamento: essenziali per le soluzioni di potenza (SiC, IGBT, MOSFET), con opzioni che vanno da quelle per uso generale a quelle di precisione, con supporto da 1 V a 80 V.

Veloce e preciso: offre prestazioni affidabili per la gestione dell'alimentazione e la protezione dai guasti.

Integrità di segnale: gli amplificatori di precisione mantengono un'uscita accurata, preservando la qualità del segnale e riducendo al minimo la distorsione.

Amplificatori standard

  • Alto guadagno e BW
  • Rail-to-rail

Precisione

  • Basso livello di VOS/deriva
  • Regolazione e deriva zero
  • A basso rumore

Rilevamento della corrente

  • Alta tensione
  • Deriva zero
  • Bidirezionale/Unidirezionale

Bassa potenza e comp

  • Bassa quiescenza
  • Basso offset di ingresso
  • Bassa tensione di offset
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Prodotti in evidenza

NCS20162DR2G

NCS20162DR2G

Amplificatore standard (per uso generale) a 2 circuiti, a terminazione singola, rail-to-railrail 8-SOIC

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NCS21671DM100R2G

NCS21671DM100R2G

Amplificatore di rilevamento della corrente 1 Circuito Rail-to-rail 10-Micro

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MC33202DR2G

MC33202DR2G

Amplificatore standard (per uso generale) a 2 circuiti Rail-to-rail 8-SOIC

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Isolamento

Consumo energetico: consuma solo 165 mA per canale a 1 Mbps, ideale per progetti industriali e automotive ad alta efficienza energetica.

Prestazioni: l'elevata immunità ai transitori di modo comune (CMT) garantisce una commutazione rapida e affidabile in ambienti rumorosi.

Fototransistor

  • Intervalli CIR stretti
  • Famiglia TA=125 °C

Rilevamento della corrente

  • Alta tensione
  • Driver TRIAC senza soppressore

Alta velocità

  • Bassa quiescenza
  • Basso offset di ingresso
  • Bassa tensione di offset
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Prodotti in evidenza

NCID9211

NCID9211

Isolatore digitale I²C SPI 5000 Vrms 2 canali 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (7,50 mm di larghezza)

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FOD2741A

FOD2741A

Optoisolatore transistor uscita 5000 V rms 1 canale 8-DIP

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FOD2741ASDV

FOD2741ASDV

Optoisolatore transistor uscita 5000 V rms 1 canale 8-SMD

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Transistor

Famiglie di transistor: i BJT, i BRT, i JFET e i Darlington coprono un range di ~10 V - 800 V con opzioni >10 A. Caratterizzati da bassa VCE(sat), elevata hFE e forte tolleranza alle ESD, consentono un azionamento efficiente e una commutazione affidabile nei sistemi automotive, industriali e consumer.

Integrazione intelligente: i transistor con resistenza di polarizzazione (17 combinazioni di resistori in contenitori singoli o doppi) riducono la distinta base e lo spazio su scheda. I JFET a bassa carica (~10 V - 40 V) stabilizzano gli amplificatori RF, mentre i Darlington NPN/PNP (~30 V - 400 V, Ic ~0,3 A - 50 A, guadagno fino a ~30.000) semplificano l'azionamento, rendendo i BJT un'alternativa economica ai MOSFET ai giusti punti di funzionamento.

Progettazione accelerata: la piattaforma Treo snellisce i cicli di selezione e progettazione.

B.JTs

  • 10 ~ 800 V
  • Contenitori di dimensioni pari a 1,0 x 0,6 mm2
  • I dispositivi di alimentazione e audio gestiscono >10 A
  • Dispositivi Sat a bassa VCE disponibili
  • Alternativa economica a MOSFET
  • RDSON Eq ef 30 milliohm
  • Elevata tolleranza alle ESD

BRTS

  • B.JT con resistori di polarizzazione integrati
  • Ciò consente di risparmiare costi e spazio su scheda
  • 17 diverse combinazioni di resistori
  • Singoli e doppi
  • Oltre 350 opzioni disponibili

JFETS

  • 10 ~ 40 V
  • Contenitori di dimensioni pari a 1,0 x 0,6 mm2
  • Bassa capacità di Miller
  • Dispositivi selezionati ottimizzati per l'uso su amplificatori RF
  • Oltre 50 dispositivi tra cui scegliere
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Prodotti in evidenza

NST3904MX2T5G

NST3904MX2T5G

Transistor bipolare (BJT) NPN 40 V 200 mA 250 MHz 165 mW a montaggio superficiale 3-X2DFN (1x0,6)

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MMBT5551M3T5G

MMBT5551M3T5G

Transistor bipolare (BJT) NPN 160 V 60 mA 265 mW a montaggio superficiale SOT-723

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NST1602CLTWG

NST1602CLTWG

Transistor bipolare (BJT) NPN 160 V 1,5 A 100 MHz 800 mW a montaggio superficiale 8-LFPAK

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Protezione

Protezione: i dispositivi di protezione onsemi salvaguardano ogni interfaccia con una copertura dai picchi transitori ed ESD a bassa tenuta all'impulso (~1 V - 70 V), disponibile in formato singolo, doppio e array per linee ad alta velocità, di alimentazione, GPIO e batteria.

Integrità di segnale e design compatto: i componenti selezionati offrono una perdita di inserzione massima garantita per mantenere la qualità del segnale, con contenitori ultracompatti (~1,0 × 0,6 mm²) ideali per i layout densi del settore automotive, industriale e consumer.

Filtri EMI integrati: i filtri EMI con protezione ESD offrono una forte attenuazione nelle bande chiave, con opzioni di modo comune e LC/RC per linee a terminazione singola.

Opzioni di limitazione della tensione: gli Zener complementari (~1,8 V - 200 V, ~0,2 W - 5 W) forniscono una limitazione controllata, il tutto supportato dalla piattaforma Treo per accelerare la progettazione a livello di sistema.

Protezione dai picchi transitori ed ESD

  • La più alta densità di potenza del settore
  • Bassa tensione di tenuta all'impulso
  • Da 1 V a 70 V
  • Singoli, doppi e array
  • Risposta ottimizzata per ogni interfaccia: alta velocità, linea elettrica. GPIO, linea batteria
  • Perdita di inserzione massima garantita su dispositivi selezionati

Filtri EMI

  • Filtri con protezione dai picchi transitori ed ESD integrata
  • Modo comune per linee differenziali e LC, RC per linee a terminazione singola
  • Attenuazione elevata sulle bande di interesse
  • Eccellente tensione di tenuta all'impulso
  • Singoli e array, >50 dispositivi disponibili

CCR

  • Driver che forniscono una corrente fissa ai LED
  • Conveniente rispetto ai regolatori a commutazione
  • Nessuna generazione di EMI
  • Funzionamento da 45 a 120 V
  • Uscita fissa a 2 terminali, uscita config a 3 terminali
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Prodotti in evidenza

ESDM1051MX4T5G

ESDM1051MX4T5G

Diodo TVS 10 V Ipp tenuta 12,5 A (8/20 µs) a montaggio superficiale 2-X4DFN (0.45x0.24)

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EMI7112FCTAG

EMI7112FCTAG

Filtro EMI LC (Pi) 3° ordine passa-basso 2 canali C = 250pF (totale) 350 mA 5-UFBGA, WLCSP

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ESD9R3.3ST5G

ESD9R3.3ST5G

Diodo TVS 7,8 V Ipp tenuta 1 A (8/20 µs) a montaggio superficiale SOD-923

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Diodi

Soluzioni a diodi: onsemi offre raddrizzatori Schottky e standard ottimizzati per l'efficienza Vf/IF e il basso recupero, disponibili nei formati singolo, doppio e a ponte. La linea comprende un'opzione compatta ad alta corrente (~500 mA/30 V), prima nel settore, in un confezionamento di classe 01005.

Controllo di precisione della tensione: gli zener complementari (~1,8 V - 200 V, ~0,2 W - 5 W) consentono tenuta all'impulso e riferimenti di tensione accurati in un'ampia gamma di contenitori, ideali per progetti con vincoli di spazio.

Sviluppo accelerato: supportato dalla piattaforma Treo per snellire i cicli di progettazione a livello di sistema.

Diodo Zener

  • 1,8 V - 200 V
  • 2 W - 5 W
  • Vasta gamma di contenitori
  • Dispositivi di dimensioni pari a 0,62 x 0,32 mm2

Diodi Schottky e SS

  • Le specifiche V e IR ottimizzate aumentano l'efficienza energetica e riducono l'ingombro
  • Tempi di recupero ridotti
  • Disponibili configurazione singola, doppia e a ponte
  • Ampia scelta di contenitori
  • Il primo Schottky da 500 mA, 30 V in 01005 del settore

Componenti discreti RF

  • BJT e JET RF per circuiti di amplificazione
  • Diodi PIN per attenuatori
  • Diodi Schottky per rilevatori di inviluppo
  • Interruttori SPDT da 8,5 GHz
  • Protezione ESD per le antenne
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Prodotti in evidenza

NZD3V9MUT5G

NZD3V9MUT5G

Diodo Zener 3,9 V 200 mW ±5% a montaggio superficiale 2-X3DFN (0,6x0,3) (0201)

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NZ8F2V7SMX2WT5G

NZ8F2V7SMX2WT5G

Diodo Zener 2,7 V 250 mW ±5,93% a montaggio superficiale, fianchi impregnabili 2-X2DFNW (1x0,6)

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MM3Z2V7T1G

MM3Z2V7T1G

Diodo Zener 2,7 V 300 mW ±7% a montaggio superficiale SOD-323

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