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MOSFET a canale P MCG052P10Y-TP/MCAC054P10Y-TP in contenitore DFN3333 e DFN5060
I MOSFET a canale P di MCC sono progettati con una tensione drain/source (VDS) di 100 V, che li rende ideali per le applicazioni ad alta tensione
I MOSFET a canale P ad alte prestazioni di Micro Commercial Components (MCC) sono progettati per semplificare i design di interruttori high-side, con MCG052P10Y-TP in contenitore DFN333 compatto e MCAC054P10Y-TP in contenitore DFN5060. Questi dispositivi offrono una gestione efficiente dell'alimentazione combinando una bassa RDS(ON) con robusti valori di corrente continua nominale. Il modello MCG052P10Y-TP è caratterizzato da una resistenza nello stato On di 52 mΩ con una corrente continua nominale di 16 A, mentre il modello MCAC054P10Y-TP offre una resistenza nello stato On di 54 mΩ con una corrente continua nominale più elevata di 25 A. Entrambi i MOSFET utilizzano la tecnologia Split-Gate Trench, che garantisce stabilità superiore, bassa resistenza nello stato On e prestazioni ad alta efficienza per applicazioni impegnative.
- Bassa RDS(ON) di 52 mΩ (max) e 54 mΩ (max) a VGS = 10 V, riducendo al minimo le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza complessiva del sistema
- Tecnologia MOSFET Split-Gate Trench ottimizzata per basse perdite di commutazione e più alti livelli di efficienza
- La VDS di 100 V è ideale per le applicazioni ad alta tensione
- La resistenza termica inferiore di 5 °C/W e +1,86 °C/W giunzione-involucro consente un efficiente trasferimento di calore alla PCB e permette un funzionamento stabile a livelli di potenza elevati senza un immediato arresto termico
- A norma RoHS e senza alogeni, in linea con gli standard ambientali globali e le iniziative di produzione ecologica
- Server per distribuzione dell'energia elettrica e commutazione del carico, sistemi di immagazzinaggio e apparecchiature di rete
- BMS
- Convertitori c.c./c.c.
- Amplificatori audio professionali
- Comandi di motori industriali e controlli di solenoidi
