MOSFET a canale N da 60 V MCACL190N06Y-TP in contenitore DFN5060-C

Il MOSFET di potenza a canale N di MCC da 60 V, 2 mΩ, 190 A è disponibile in un contenitore compatto da 5 mm x 6 mm per una commutazione ad alta efficienza

Immagine del MOSFET a canale N MCACL190N06Y-TP da 60 V di MCC Il MOSFET a canale N da 60 V ad alte prestazioni MCACL190N06Y-TP di Micro Commercial Components (MCC) è disponibile nel compatto contenitore DFN5060-C. Dotato di tecnologia Clip, questo dispositivo presenta una bassissima resistenza nello stato On statica di drain-source di circa 2 mΩ e un'alta corrente continua nominale di 190 A, che lo rendono ideale per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza. MCACL190N06Y-TP offre ai progettisti una soluzione affidabile e in grado di funzionare termicamente per i sistemi di alimentazione di prossima generazione nei circuiti industriali, consumer e automotive.

Caratteristiche
  • RDSon molto bassa, pari a circa 2 mΩ (max) a VGS = 10 V, che riduce al minimo le perdite di conduzione e migliora l'efficienza nei progetti ad alta corrente
  • Tecnologia MOSFET Trench Split-Gate ottimizzata per una bassa perdita di commutazione e altissimi livelli di efficienza
  • Tensione di drain-source (VDS) di 60 V, idonea per topologie di commutazione e sistemi di alimentazione a tensione moderata
  • Elevata capacità di corrente di drain continua (190 A) per stadi di potenza esigenti
  • Il contenitore DFN5060-C offre un ingombro compatto con un efficiente trasferimento termico per i layout delle PCB più dense
  • A norma RoHS e senza alogeni, conforme agli standard ambientali globali e di produzione ecocompatibile
Applicazione
  • Convertitori c.c./c.c.
  • Interruttore di carico e gestione dell'alimentazione
  • Controller per motori
  • Server, telco e alimentatori industriali
  • Sistemi alimentati a batteria
Data di pubblicazione: 2026-04-13