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MOSFET di potenza a canale N OptiMOS™
I MOSFET di potenza a canale N OptiMOS™ di Infineon soddisfano costantemente i più elevati requisiti di qualità e prestazioni nelle specifiche chiave dei progetti di sistemi di alimentazione. Coprendo un intervallo compreso tra 15 e 300 V, il portafoglio è in grado di soddisfare un'ampia gamma di esigenze, dalle basse alle alte frequenze di commutazione. Le caratteristiche includono bassissima RDSon e bassa carica per applicazioni ad alta frequenza di commutazione. L'intera gamma di MOSFET di potenza OptiMOS™ offre innovazione e prestazioni in applicazioni come alimentatori a commutazione (SMPS), applicazioni alimentate a batteria, controllo motori e azionamenti, inverter e computing.
I dispositivi OptiMOS™ sono disponibili in diversi contenitori per soddisfare le esigenze di capacità di trasporto di correnti elevate e di risparmio di spazio. L'ampio portafoglio di prodotti consente di ridurre l'ingombro, di raggiungere portate di corrente elevate e di ottimizzare le prestazioni termiche. I dispositivi senza conduttori a montaggio superficiale consentono di ridurre l'ingombro, mentre i contenitori a foro passante sono caratterizzati da un'alta potenza nominale. Gli innovativi contenitori DirectFET™ e TO-Leadless (TOLL) sono progettati per applicazioni ad alta frequenza e offrono la più bassa resistenza parassita. Le nuove innovazioni in termini di contenitore sono: SuperSO8 source-down, che offre densità di potenza e prestazioni elevate; TOLG (con conduttori ad ala di gabbiano), ottimizzato per la robustezza del ciclaggio termico su scheda (TCoB); TOLT (con raffreddamento sul lato superiore), ottimizzato per prestazioni termiche superiori; sTOLL, ottimizzato per l'alta potenza in un fattore di forma compatto; e SuperSO8 DSC (con raffreddamento bilaterale), ottimizzato per il raffreddamento bilaterale in un ingombro standard di 5x6 mm2.
La famiglia OptiMOS™ comprende anche un'ampia gamma di MOSFET di potenza qualificati automotive (30 V - 300 V) con prestazioni e qualità superiori a AEC-Q101.
Caratteristiche generali
- Ottimizzato per un'ampia frequenza di commutazione
- Progettato per applicazioni ad alte prestazioni
- Cifra di merito migliore del settore
- Alta efficienza e densità di potenza
Principali sotto-applicazioni
- Applicazioni a batteria a basso consumo (utensili elettrici, multicotteri, batterie, azionamenti industriali)
- Applicazioni ad alta intensità di batteria (LEV, LSEV)
- Inverter (solari, UPS online, UPS offline)
- SMPS (adattatore/caricabatterie, alimentazione di PC, TV LCD, server, c.a./c.c., telecomunicazioni)
OptiMOS™ 7
La famiglia OptiMOS™ 7 si basa sulla più recente tecnologia MOSFET Trench di Infineon, che sfrutta un design rivoluzionario delle celle. Il sistema riunisce i vantaggi di una resistenza nello stato On (RDSon) eccezionalmente bassa e di un basso recupero inverso del diodo, offrendo alta efficienza, alta densità di potenza, bassa interferenza elettromagnetica (EMI) e alta affidabilità del sistema. Di conseguenza, consente di ridurre i MOSFET in parallelo nelle applicazioni ad alta corrente.
Per un elenco completo dei prodotti OptiMOS™ 7 disponibili, fare clic qui: MOSFET di potenza OptiMOS™ 7
Caratteristiche (15 V)
- I primi MOSFET di potenza Trench da 15 V
- RDSon benchmark rispetto al nodo a 25 V
- Eccellente FOMgd / FOMOSS
- Bassissime correnti parassite del contenitore
- Ingombri a gate centrale e standard
- Varianti con raffreddamento bilaterale
Caratteristiche (40 V)
- MOSFET di potenza BiC a 40 V in SuperSO8 5x6
- Eccellente RDSon
- Riduzione del fattore di forma del sistema
- Efficienza e prestazioni elevate del sistema
- Ingombro standard del settore
Applicazioni chiave (15 V)
- SMPS
- Server
- Comunicazioni dati
- Intelligenza artificiale
Applicazioni chiave (40 V)
- BMS
- SMPS
OptiMOS™ 6
I MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 consentono il massimo livello di efficienza del sistema. OptiMOS™ 6 utilizza un processo Trench all'avanguardia, che offre miglioramenti significativi nelle perdite di commutazione/conduzione e nella capacità di corrente. Questi miglioramenti si traducono in minori perdite di sistema, consentendo di migliorare la densità di potenza, la temperatura della scheda e l'affidabilità complessiva del sistema. Le applicazioni di destinazione comprendono gli alimentatori a commutazione (SMPS), le energie rinnovabili, i circuiti ORing, i comandi di motori, i LEV e le applicazioni a batteria.
La famiglia è disponibile in una varietà di contenitori per soddisfare i requisiti di progettazione, quali PQFN 3,3x3,3, sTOLL, SuperSO8, TOLL e TOLT. Inoltre, il portafoglio OptiMOS™ 6 comprende una varietà di nodi di tensione, quali 40 V, 100 V, 120 V, 135 V e 200 V.
Per un elenco completo dei prodotti OptiMOS™ 6 disponibili, fare clic qui: MOSFET di potenza OptiMOS™ 6
Scegliere il giusto MOSFET di potenza - Parametri chiave e casi d'uso delle applicazioni
Caratteristiche
- Bassa RDSon
- Bassa Qg e Qgd
- Alta dissipazione di potenza
- Alta corrente nominale
- Soglia del gate ottimizzata
Vantaggi
- Basse perdite di conduzione
- Basse perdite di commutazione
- Gestione termica ottimizzata
- Capacità di trasporto di correnti più elevate
- Migliore condivisione della corrente in caso di parallelizzazione
Applicazioni
- SMPS
- Circuiti ORing
- Comandi di motori
- Applicazioni alimentate a batteria
- LEV
- Solare
| Classe di tensione | applicazione di destinazione |
|---|---|
| 40 V | Per applicazioni che richiedono una capacità di pilotaggio del gate inferiore |
| 100 V | Alimentazione a commutazione (SMPS), solare, utensili elettrici, sistemi di gestione delle batterie |
| 120 V | Applicazioni hard-switching e soft-switching, alimentatori industriali, solare, caricabatterie, azionamenti a bassa tensione e utensili elettrici |
| 135 V | Applicazioni di azionamento motori ad alta potenza come LEV, carrelli elevatori elettrici, utensili elettrici e da giardinaggio, nonché gruppi di continuità |
| 150 V | SMPS per telecomunicazioni e server, carrelli elevatori elettrici e LEV, ottimizzatori solari e caricatori USB ad alta potenza |
| 200 V | LEV, utensili da giardinaggio, sistemi a energia solare e di immagazzinaggio dell'energia, SMPS per telecomunicazioni e server, servoazionamenti |
OptiMOS™ 5
Le famiglie OptiMOS™ 5 sono caratterizzate da una riduzione rivoluzionaria di RDSon e Qrr senza compromettere FOMgd e FOMOSS, riducendo di fatto lo sforzo di progettazione e ottimizzando l'efficienza del sistema.
Per un elenco completo dei prodotti OptiMOS™ 5 disponibili, fare clic qui: MOSFET di potenza OptiMOS™ 5
Caratteristiche
- RDSon molto bassa e cifra di merito inferiore (RDSon x Qg)
- Eccellente resistenza termica
- Testato a valanga al 100%
- Bassissima carica di recupero inverso
- Placcatura senza piombo, a norma RoHS
- Senza alogeni a norma IEC61249‑2‑21
| Classe di tensione | Applicazione di destinazione |
|---|---|
| 25 V - 30 V | Ricarica wireless, caricabatterie e adattatori, robot e droni, SMPS industriali, server, telecomunicazioni, consumer |
| 40 V - 60 V | Alimentatori a commutazione (SMPS), controllo motori, microinverter solari, convertitori c.c./c.c. a commutazione rapida |
| 80 V - 100 V | Alimentazione per telecomunicazioni e server, solare, comando a bassa tensione, adattatori per laptop |
| 150 V | Azionamenti a bassa tensione (es. carrelli elevatori, scooter elettrici), telecomunicazioni, solare |
OptiMOS™ 3
I MOSFET di potenza OptiMOS™ 3 sono la nostra famiglia OptiMOS™ più numerosa e completano il nostro portafoglio di prodotti esistenti, oltre a fornire ulteriori opzioni quando non è richiesto il meglio della categoria. Questi prodotti sono progettati per applicazioni di conversione e gestione dell'alimentazione che richiedono alta efficienza e alta densità di potenza. Tali applicazioni includono convertitori c.c./c.c., alimentatori a commutazione (SMPS) e driver per motori c.c. in un'ampia gamma di prodotti come computer, elettrodomestici, piccoli veicoli elettrici, sistemi di automazione industriale, apparecchiature per telecomunicazioni e dispositivi consumer come utensili elettrici, tosaerba elettrici e ventilatori.
Per un elenco completo dei prodotti OptiMOS™ 3 disponibili, fare clic qui: MOSFET di potenza OptiMOS™ 3
Caratteristiche
- RDSon molto bassa e cifra di merito inferiore (RDSon x Qg)
- Eccellente resistenza termica
- Testato a valanga al 100%
- Bassissima carica di recupero inverso
- Placcatura senza piombo, a norma RoHS
- Senza alogeni a norma IEC61249‑2‑21
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