GSI Technology

DRAM a bassa latenza

Le LLDRAM di GSI Technology consentono velocità di accesso che in precedenza si trovavano solo nelle SRAM

Immagine delle DRAM a bassa latenza di GSI TechnologyLe DRAM a bassa latenza (LLDRAM) di GSI Technology sono dispositivi di memoria ad alta velocità progettati per l'elaborazione dei dati ad alta velocità di indirizzo tipicamente presenti nelle applicazioni di rete e telecomunicazioni. L'architettura a 8 banchi e il basso tRC consentono velocità di accesso che in precedenza si trovavano solo nelle SRAM.

Caratteristiche
  • Compatibile con pin e funzioni con Micron RLDRAM® II
  • Operazione DDR a 533 MHz (velocità dati 1,067 Gbps/pin)
  • Larghezza di banda di picco di 38,4 Gbps (x36 volte alla frequenza di clock di 533 MHz)
  • Organizzazioni x36, x18 e x9 disponibili
  • Otto banchi interni per operazioni simultanee e massima larghezza di banda
  • Tempo di ciclo ridotto (15 ns a 533 MHz)
  • Multiplazione dell'indirizzo (opzione di indirizzo non multiplato disponibile)
  • Interfaccia di tipo SRAM
  • Latenza di lettura (RL), tempo di ciclo di riga e lunghezza della sequenza burst programmabili
  • Latenze di lettura e scrittura bilanciate per ottimizzare l'utilizzo del bus dati
  • Maschera dati per comandi di scrittura
  • Clock di ingresso differenziali (CK, CK)
  • Clock dati di ingresso differenziali (DKx, DKx)
  • Un DLL su chip genera dati allineati con il fronte del clock e segnali di clock dati di uscita
  • Segnale dati valido (QVLD)
  • Aggiornamento a 32 ms (aggiornamento a 8 K per ogni banco; il comando di aggiornamento a 64 K deve essere emesso in totale ogni 32 ms)
  • Contenitore μBGA a 144 sfere
  • I/O HSTL (1,5 V o 1,8 V nominale)
  • Uscite a impedenza abbinata da 25 a 60 Ω
  • I/O VEXT a 2,5 V, VDD a 1,8 V, VDDQ a 1,5 V o 1,8 V
  • RTT per terminazione on-die (ODT)
  • Temperatura commerciale e industriale

Applicazioni

  • Tabelle di ricerca
  • Buffering di coda
  • Elaborazione delle immagini

LLDRAM IC's

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGAGS4288C36GL-18IIC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 576MBIT HSTL 144FBGAGS4576C18GM-18IIC DRAM 576MBIT HSTL 144FBGA0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
IC DRAM 576MBIT HSTL 144FBGAGS4576C36GM-18IIC DRAM 576MBIT HSTL 144FBGA0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2020-10-23