La tecnologia IGBT Field-Stop (FS) di ON Semiconductor consente ai progettisti di sviluppare sistemi estremamente affidabili, con tensione di ingresso superiore, pur offrendo prestazioni ottimali laddove sono essenziali bassa conduzione e basse perdite di commutazione. Gli IGBT offrono capacità di gestione della corrente elevata, coefficiente di temperatura positivo, rigida distribuzione dei parametri e un'ampia area operativa sicura. La maggiore tensione di rottura migliora l'affidabilità laddove sono presenti temperature ambiente negative. Con la riduzione della temperatura, si riduce anche la tensione di blocco di IGBT e FRD, cosa che rende questi dispositivi particolarmente vantaggiosi per inverter fotovoltaici solari utilizzati nei climi più freddi. Poiché un'attenta selezione degli IGBT e dei diodi a ruota libera è essenziale per ottenere la massima efficienza, gli IGBT di ON Semiconductor offrono recupero graduale e veloce che riduce la dissipazione di potenza e raggiunge basse perdite di attivazione e disattivazione.
La tecnologia FS di ON Semiconductor assicura alte prestazioni senza sacrificare affidabilità e robustezza; siamo impegnati nel costante miglioramento delle prestazioni IGBT. La nostra tecnologia di quarta generazione offre eccellenti caratteristiche di compromesso e una maggiore robustezza di latch-up dinamica rispetto a qualsiasi altro IGBT FS.
White paper - Analisi dettagliata e risultati di prestazioni
| Caratteristiche |
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- Massima temperatura di giunzione: Tj = 175 °C
- Coefficiente di temperatura positivo per il funzionamento agevole in parallelo
- 100% dei componenti testati per ILM(1)
- Bassa tensione di saturazione:
VCE(sat) = 1,8 V (tip.) a IC = 30, 40, 60 A
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- Alta impedenza di ingresso
- Commutazione veloce
- Rigida distribuzione dei parametri
- A norma RoHS
- Alta capacità di corrente
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| Applicazioni |
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- Applicazioni industriali e di saldatura e correzione del fattore di potenza
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La tecnologia IGBT Field-Stop (FS) di ON Semiconductor consente ai progettisti di sviluppare sistemi estremamente affidabili, con tensione di ingresso superiore, pur offrendo prestazioni ottimali laddove sono essenziali bassa conduzione e basse perdite di commutazione. Gli IGBT offrono capacità di gestione della corrente elevata, coefficiente di temperatura positivo, rigida distribuzione dei parametri e un'ampia area operativa sicura. La maggiore tensione di rottura migliora l'affidabilità laddove sono presenti temperature ambiente negative. Con la riduzione della temperatura, si riduce anche la tensione di blocco di IGBT e FRD, cosa che rende questi dispositivi particolarmente vantaggiosi per inverter fotovoltaici solari utilizzati nei climi più freddi. Poiché un'attenta selezione degli IGBT e dei diodi a ruota libera è essenziale per ottenere la massima efficienza, gli IGBT di ON Semiconductor offrono recupero graduale e veloce che riduce la dissipazione di potenza e raggiunge basse perdite di attivazione e disattivazione.
