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Transistor di potenza da 100 V eGaN® in modalità potenziata EPC2367

Il transistor di potenza da 100 V, 101 A in modalità potenziata eGaN EPC2367 di EPC supporta il funzionamento ad alta corrente con un'efficiente dissipazione del calore

Immagine del transistor di potenza da 100 V eGaN® in modalità potenziata EPC2367 di EPCIl transistor di potenza da 100 V in modalità potenziata eGaN EPC2367 di EPC è ottimizzato per ottenere un'efficienza e una densità di potenza altissime nelle applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Grazie alla bassissima resistenza nello stato On, al recupero inverso pari a zero e al contenitore chip-scale compatto, EPC2367 consente di realizzare progettazioni di alimentazione più piccole, più veloci e più efficienti rispetto ai MOSFET al silicio.

Caratteristiche
  • Transistor di potenza GaN ad alta tensione: FET eGaN da 100 V in modalità potenziata che supporta il funzionamento ad alta frequenza e una rapida risposta ai transitori
  • Bassissima RDS(on): 1,2 mΩ tipico a VGS = 5 V, riducendo al minimo le perdite di conduzione
  • Recupero inverso pari a zero: elimina le perdite di recupero inverso per una maggiore efficienza
  • Bassissima carica del gate: consente una commutazione rapida e perdite di commutazione ridotte
  • Contenitore chip-scale compatto: ingombro di 3,3 × 3,3 mm per progetti ad alta densità e con vincoli di spazio
  • Eccellenti prestazioni termiche: supporta il funzionamento ad alta corrente con un'efficiente dissipazione del calore
Applicazioni
  • Convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza
  • Moduli c.c./c.c. ad alta densità di potenza
  • Comandi di motori
  • Raddrizzamento sincrono

EPC2367 100 V Enhancement-Mode eGaN® Power Transistor

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
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TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI		EPC2367TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI18894 - Immediatamente$5.90Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2026-01-19

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