Transistor di potenza in modalità potenziata EPC2218

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            Transistor di potenza in modalità potenziata EPC2218
  
                    Il transistor GaN da 3,2 mΩ, 100 V, 231 A (pulsata) di EPC fornisce efficienza energetica e frequenza di commutazione

Immagine del transistor di potenza GaN in modalità potenziata EPC2218 di EPC I transistor EPC2218 e le schede di sviluppo/valutazione di EPC offrono FET GaN in modalità potenziata a 100 V, 60 A e 231 A_PULSATA. I transistor sono forniti solo in forma di die passivato con barre di saldatura e dimensioni del die di 3,5 x 1,95 mm. EPC2218 è ideale per raddrizzamento sincrono a 48 V_OUT, audio in classe D, sistemi di infotainment, convertitori c.c./c.c. e LiDAR per auto autonome, robotica e droni.

Caratteristiche

Maggiore frequenza di commutazione per perdite di commutazione inferiori e potenza di pilotaggio inferiore
La maggiore efficienza offre conduzione e perdite di commutazione inferiori, nonché zero perdite di recupero inverso
L'ingombro ridotto consente una maggiore potenza

Applicazioni

Convertitori c.c./c.c.
Comandi di motori BLDC
Raddrizzamento di sincronizzazione per c.a./c.c. e c.c./c.c.
LiDAR/potenza impulsiva

Convertitori punto di carico (PoL)
Audio in classe D
Illuminazione a LED

EPC2218 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

	Immagine	Codice produttore	Descrizione	Quantità disponibile	Prezzo	Vedi i dettagli
		EPC2218	GANFET N-CH 100V DIE	0 - Immediatamente	$6.42	Vedi i dettagli

Evaluation Boards

	Immagine	Codice produttore	Descrizione	Quantità disponibile	Prezzo	Vedi i dettagli
		EPC9153	EVAL BOARD FOR EPC2218	4 - Immediatamente	$415.05	Vedi i dettagli
		EPC90123	EVAL BOARD FOR EPC2218	22 - Immediatamente	$170.11	Vedi i dettagli

Data di pubblicazione: 2021-01-07

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