MOSFET al carburo di silicio (SiC)

Diotec Semiconductor presenta una famiglia di MOSFET al carburo di silicio (SiC) che comprende dispositivi con un'ampia gamma di bassi valori di R_DS(ON) compresi in un intervallo di 23 ~ 59 mΩ. Sono incapsulati nel TO-247-3L standard (con tre conduttori) o nel TO-247-4L, che offre una quarta sorgente Kelvin, consentendo velocità di commutazione più elevate e minori perdite di potenza. All'interno della famiglia di prodotti, Diotec offre i modelli DIF120SIC053-AQ, DIW120SIC023-AQ e DIW120SIC059-AQ, dove "-AQ" indica la piena qualifica AEC-Q101.

Nel contesto dell'elettronica di potenza, dove le industrie cercano di migliorare l'efficienza energetica, il SiC emerge come una promettente tecnologia di prossima generazione. Promette capacità notevolmente superiori a quelle dei tradizionali MOSFET di potenza basati sul silicio, tra cui un maggiore tensione di rottura e una perdita di energia significativamente ridotta. Per rispondere alle esigenze del mercato, Diotec offre una varietà di MOSFET SiC che coprono un portafoglio completo per le applicazioni in macchinari industriali, sistemi di conversione di potenza, inverter fotovoltaici e ricarica EV automotive.

L'implementazione della tecnologia a banda proibita larga consente a questi componenti di funzionare in modo stabile nelle applicazioni ad alta temperatura. Con una resistenza nello stato ON relativamente più bassa, i MOSFET SiC generano una minore perdita di commutazione per ciclo e migliorano significativamente l'efficienza mantenendo una maggiore velocità di commutazione in un sistema di conversione di potenza. Di conseguenza, i MOSFET SiC emergono come la soluzione principale per diverse applicazioni, specialmente quelle relative alla commutazione ad alta tensione a frequenze più alte, un limite riscontrato con i MOSFET a base di silicio. Inoltre, la qualifica AEC-Q101 consolida la robustezza e l'alta affidabilità delle prestazioni dei MOSFET SiC, soprattutto nel settore automotive.