Memoria non volatile FeRAM™ seriale

Le memorie FeRAM (RAM ferroelettrica) seriali di Infineon combinano storage di dati non volatile all'alta velocità della RAM. La FeRAM seriale offre densità che vanno da 4 kB a 4 MB, interfacce SPI e I²C e contenitori standard del settore. La FeRAM seriale ha no tre vantaggi che la contraddistingue dalle memorie non volatili di tipo tradizionale: velocità di scrittura maggiore senza ritardo, resistenza pressoché illimitata e basso consumo energetico.

La FeRAM seriale offre scrittura rapida alla piena velocità dell'interfaccia. La FeRAM seriale non subisce ritardi di scrittura; dati sono istantaneamente non volatili. Le memorie non volatili di tipo tradizionale subiscono un ritardo di >5 ms prima che i dati diventano non volatili. Se l'alimentazione viene interrotta, i dati in attesa vanno persi a meno che il sistema non sia munito di capacitanza o batterie supplementari che lo tengano acceso per ultimare la memorizzazione dei dati.

La FeRAM seriale offre una durata pressoché illimitata di 10¹⁴ cicli di lettura/scrittura. Le memorie non volatili di tipo tradizionale offrono generalmente un ciclo di resistenza minore di 10⁶, costringendo i progettisti dei sistemi a utilizzare complesse routine di distribuzione dell'usura e una densità anche quadruplicata per prolungare la durata di queste memorie.

La FeRAM seriale consuma anche solo 300 µA di corrente attiva e 6 µA di corrente standby. Abbinata ad elevate velocità di scrittura, la FeRAM seriale rimane attiva per brevi periodi di tempo, risultando in un consumo energetico molto basso. Le memorie non volatili di tipo tradizionale con ritardi di scrittura devono rimanere attive per lunghi periodi di tempo, con conseguente consumo di energia superiore.

Con minime modifiche al firmware, la FeRAM seriale costituisce un'alternativa EEPROM con compatibilità a livello di pin e ingombro.

White paper: compendio sulla tecnologia F-RAM™