Soluzioni di memoria ad alte prestazioni

Con oltre 40 anni di esperienza nei semiconduttori di memoria discreti, Infineon è leader del settore con i migliori prodotti di memoria per applicazioni automotive, industriali, consumer e di comunicazione. Infineon ha introdotto la sua prima memoria ad accesso casuale nel 1982 e, da quell'inizio promettente, è cresciuta fino a coprire un'ampia gamma di prodotti che comprende Flash NOR, pSRAM, SRAM, nvSRAM e F-RAM. Grazie alla qualità impareggiabile e agli accordi di fornitura a lungo termine, nonché al forte impegno per gli investimenti futuri in nuove tecnologie, le soluzioni di memoria di Infineon continueranno a essere leader del settore per i decenni a venire.

Il portafoglio differenziato di memorie volatili e non volatili comprende:

  • SEMPER™: famiglia di prodotti Flash NOR sicuri e affidabili
  • EXCELON™: famiglia di prodotti FeRAM affidabili a bassissima potenza e alte prestazioni
  • HYPERFLASH™: memoria Flash NOR basata su HYPERBUS™
  • HYPERRAM™: memorie pSRAM
  • Flash NOR
  • FeRAM
  • nvSRAM
  • SRAM
  • pSRAM

Flash NOR

I prodotti Flash NOR di Infineon sono progettati meticolosamente per garantire i più alti livelli di sicurezza, affidabilità e protezione. Il programma di longevità offre la garanzia di una continuità di fornitura a lungo termine, completata da una politica di zero difetti per una qualità eccezionale. Per semplificare il processo di progettazione e accelerare il time-to-market è disponibile una suite completa di strumenti di progettazione e risorse di supporto. Con un ampio portafoglio di soluzioni pensate per applicazioni industriali, automotive, di comunicazione e per data center, la memoria Flash NOR di Infineon offre un vantaggio competitivo per prestazioni affidabili in tutte le condizioni.

SEMPER™, la famiglia di Flash NOR di prossima generazione di Infineon, è stata progettata e realizzata per la sicurezza funzionale, garantendo l'avvio di ogni sistema in uno stato noto e il suo funzionamento affidabile, ogni volta. Quando la fiducia e l'integrità sono importanti, i dispositivi SEMPER™ Secure aggiungono una radice di attendibilità hardware e un motore di crittografia per consentire l'accesso autenticato, la verifica dell'identità da remoto e gli aggiornamenti OTA protetti con sicurezza dal cloud al chip. Per i dispositivi indossabili e altri piccoli dispositivi alimentati a batteria, SEMPER™ Nano offre il fattore di forma più compatto e il consumo energetico più basso per massimizzare la durata della batteria.

Per un elenco completo dei prodotti Flash NOR disponibili, fare clic qui.

Per un elenco completo delle soluzioni di memoria Flash di Infineon per gli FPGA Xilinx®, fare clic qui.

Prodotti Flash NOR

Caratteristiche principali

  • Memorizzazione non volatile da 64 Mb fino a 4 Gb
  • Interfacce seriali e parallele ad alte prestazioni
  • Caratteristiche di sicurezza funzionale integrate con conformità ASIL-D
  • Resistenza fino a 2,56 milioni di cicli di programmazione/cancellazione
  • 25 anni di conservazione dei dati
  • Supporto di temperatura di funzionamento fino a +125 °C
  • Codice di correzione errori (ECC) hardware su chip
  • Funzionalità XiP (eXecute-in-Place)

Vantaggi

  • Consente l'avvio immediato con throughput di lettura fino a 400 MB/s e XiP
  • Memorizza i dati in modo affidabile fino a 25 anni, anche in condizioni operative difficili
  • Si abbina ai SoC più diffusi dell'ampio ecosistema dei partner di chipset
  • Garantisce il funzionamento sicuro e affidabile grazie a SafeBoot e al controllo degli errori
  • Accelera il time to market con l'SDK SEMPER™ Solutions Hub
  • Assicura una fornitura di prodotti e una longevità di oltre 10 anni
Flash NOR
Famiglia di prodotti Densità Interfaccia Tensione Velocità Applicazioni di destinazione
Flash NOR Semper™ 256 Mb - 4 Gb QSPI, ottale xSPI, HYPERBUS™ 1,8 V, 3,0 V Fino a 400 MB/s Robotica, automazione e azionamenti industriali, ADAS automotive; funzionamento critico per la sicurezza, alta velocità, avvio rapido
Flash NOR SEMPER™ Secure 128 Mb - 256 Mb 1,8 V, 3,0 V Fino a 400 MB/s Connettività di rete, sorveglianza, fabbriche intelligenti, centri dati; avvio e storage di dati protetti, transizioni end-to-end protette
SEMPER™ Nano 256 Mb QSPI 1,8 V Fino a 52 MB/s Dispositivi indossabili, anche da orecchio, sensori intelligenti, dispositivi medicali portatili; compatto, affidabile, a bassa potenza, ECC integrato
IPERFLASH™ 128 Mb - 512 Mb HYPERBUS™ 1,8 V, 3,0 V Fino a 333 MB/s HMI industriali, display digitali, quadri di strumentazione automotive; accensione istantanea, memorizzazione di immagini e grafica
Flash NOR seriale standard 64 Mb - 1 Gb QSPI, Dual QSPI 1,8 V, 3,0 V Fino a 204 MB/s Industriali, informatica, comunicazioni e automotive; codice di avvio e storage di dati affidabili
Flash NOR parallela standard 64 Mb - 2 Gb Modalità pagina a 16/8 bit 3,0 V Fino a 70 ns / 15 ns Industriali, medicali, aerospazio e difesa; codice di avvio e storage di dati affidabili

FeRAM

La FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) è una memoria non volatile autonoma che consente ai progettisti di acquisire istantaneamente e conservare i dati critici in caso di interruzione dell'alimentazione. Sono ideali per le applicazioni mission-critical che richiedono la registrazione dati continua e a basso consumo. Disponibili in formati compatti, le FeRAM offrono ritardo di scrittura zero, una durata praticamente illimitata e una tolleranza completa alle interferenze magnetiche, senza compromettere l'affidabilità, le prestazioni e l'efficienza energetica.

La famiglia di FeRAM di prossima generazione EXCELON™ di Infineon combina le correnti di quiescenza più basse del settore con interfacce ad alta velocità e bassa piedinatura, non volatilità istantanea e durata illimitata di cicli di lettura/scrittura, garantendo alta affidabilità del sistema e bassissimo consumo energetico.

Per un elenco completo dei prodotti FeRAM disponibili, fare clic qui.

Prodotti FeRAM

Caratteristiche principali

  • Memorizzazione non volatile da 4 Kb fino a 16 Mb
  • Interfacce seriali e parallele ad alte prestazioni
  • Scrittura a ritardo zero, per la scrittura di dati sulle celle di memoria alla velocità del bus
  • Resistenza in lettura/scrittura di oltre 1014 (100.000 miliardi) di cicli
  • Oltre 10 anni di conservazione dei dati a +85 °C
  • Supporto di temperatura di funzionamento fino a +125 °C
  • Immune alle radiazioni e alle interferenze dei campi magnetici

Vantaggi

  • Acquisisce istantaneamente i dati del sistema in caso di perdita di alimentazione
  • Registra continuamente i dati per l'intera durata del sistema
  • Funziona in modo affidabile in ambienti industriali e automotive difficili
  • Consuma 200 volte meno energia delle EEPROM e 3.000 volte meno delle Flash NOR
  • Semplifica la progettazione del sistema senza i costi per il firmware di distribuzione dell'usura
  • Assicura una fornitura di prodotti e una longevità di oltre 10 anni
FeRAM
Famiglia di prodotti Densità Interfaccia Tensione Velocità Applicazioni di destinazione
EXCELON™ Ultra F-RAM 2 Mb - 16 Mb QSPI 1,8 V, 3,0 V Fino a 108 MHz Automazione e azionamenti industriali, server aziendali e storage RAID, robotica
EXCELON™ Auto F-RAM 1 Mb - 16 Mb SPI, QSPI 1,8 V, 3,0 V Fino a 108 MHz EDR automotive, telecamera frontale, ADAS, infotainment, sistemi di gestione delle batterie
EXCELON™ LP F-RAM 2 Mb - 16 Mb SPI 1,8 V, 3,3 V Fino a 50 MHz Smart metering, assistenza sanitaria intelligente, dispositivi indossabili, sensori IoT, inverter solari, MFP
FeRAM standard 4 Kb - 4 Mb I²C, SPI, parallela (x8, x16) 3,3 V, 5,0 V Fino a 40 MHz, fino ad appena 60 ns Automazione e azionamenti industriali, smart metering, automotive, inverter solari, immagazzinaggio dell'energia

nvSRAM

La nvSRAM (non-volatile SRAM) è una memoria non volatile autonoma che, in caso di interruzione dell'alimentazione, acquisisce istantaneamente e conserva una copia dei dati del sistema in una memoria non volatile e consente di richiamare i dati alla ripresa dell'alimentazione. La nvSRAM di Infineon combina la tecnologia SRAM leader del settore con la migliore tecnologia di memoria non volatile SONOS per offrire un portafoglio completo di memorie di registrazione dati affidabili e ad alte prestazioni che eliminano la necessità di batterie ausiliarie o supercondensatori di grandi dimensioni nei sistemi.

Per un elenco completo dei prodotti nvSRAM disponibili, fare clic qui.

Prodotti nvSRAM

Caratteristiche principali

  • Memorizzazione non volatile da 64 Kb fino a 16 Mb
  • Interfacce seriali e parallele ad alte prestazioni
  • Soluzione di interfaccia parallela con tempi di accesso rapidissimi di 20 ns
  • Resistenza di lettura/scrittura infinita nell'array SRAM
  • Oltre 20 anni di conservazione dei dati a +85 °C
  • Clock in tempo reale (RTC) opzionale
  • Immune alle radiazioni e alle interferenze dei campi magnetici

Vantaggi

  • Acquisisce istantaneamente i dati del sistema in caso di perdita di alimentazione
  • Registra continuamente i dati per l'intera durata del sistema
  • Funziona in modo affidabile in ambienti industriali e automotive difficili
  • Elimina la necessità di batterie o supercondensatori di grandi dimensioni
  • Semplifica la progettazione del sistema senza i costi per il firmware di distribuzione dell'usura
  • Assicura una fornitura di prodotti e una longevità di oltre 10 anni
nvSRAM
Famiglia di prodotti Densità Interfaccia Tensione Velocità Applicazioni di destinazione
nvSRAM parallela 256 Kb - 16 Mb Parallela (x8, x16, x32) 3,0 V, doppio I/O 3,0 V e 1,8 V Fino ad appena 20 ns Automazione e azionamenti industriali, connettività di rete, macchine da gioco per casinò
nvSRAM seriale 64 Kb - 1 Mb I²C, SPI, QSPI 3,0 V, 5,0 V, doppio I/O 3,0 V e 1,8 V Fino a 104 MHz Connettività di rete, sorveglianza, fabbriche intelligenti, centri dati; avvio e storage di dati protetti, transizioni end-to-end protette

SRAM

La SRAM (Static RAM) è una memoria ad accesso casuale autonoma che offre ai progettisti un modo semplice per aggiungere più RAM alle loro applicazioni. A differenza delle DRAM, le SRAM non devono essere aggiornate periodicamente, il che le rende più veloci, efficienti dal punto di vista energetico e più affidabili per le applicazioni di memoria tampone e cache. Infineon offre il più ampio portafoglio di SRAM asincrone e sincrone del settore, insieme oltre all'impegno di fornire prodotti stabili e assistenza a lungo termine.

L'ultima generazione di SRAM a 65 nm di Infineon con ECC (codice di correzione degli errori) hardware su chip offre un significativo miglioramento delle prestazioni in termini di tasso errore soft (SER), che raggiunge ≤0,1 FiT/Mb.

Per un elenco completo dei prodotti SRAM disponibili, fare clic qui.

Prodotti SRAM

Caratteristiche principali

  • Il più ampio portafoglio di SRAM asincrone e sincrone
  • Bus asincrono ad alte prestazioni con tempi di accesso di 10 ns
  • Velocità fino a 1.066 MHz con SRAM sincrone QDR™-IV
  • Bassissima corrente di standby (6,5 µA max per 8 Mb)
  • ECC hardware su chip
  • Compatibilità con i prodotti SRAM precedenti

Vantaggi

  • Massimizza la durata della batteria per i casi d'uso di acquisizione dati in batteria tampone
  • Aumenta la larghezza di banda della memoria per l'accesso ai dati in tempo reale
  • Raggiunge una frequenza di operazioni casuali fino a 2.132 MT/s (QDR™-IV)
  • Garantisce l'affidabilità dei dati con prestazioni SER fino a ≤ 0,1 FiT/Mb
  • Assicura una fornitura di prodotti e una longevità di oltre 10 anni
SRAM
Famiglia di prodotti Densità Interfaccia Tensione Velocità Applicazioni di destinazione
SRAM asincrona MoBL™ 256 Kb - 64 Mb Parallela (x8, x16, x32) 1,8 V, 3,0 V, 5,0 V Fino ad appena 45 ns Automazione e azionamenti industriali, connettività di rete, macchine da gioco per casinò, pompe per insulina
SRAM asincrona veloce 256 Kb - 32 Mb Parallela (x8, x16, x32) 1,8 V, 3,0 V, 5,0 V Fino ad appena 10 ns Automazione industriale, connettività di rete, server aziendali, aerospazio e difesa
SRAM sincrona 4 Mb - 144 Mb Parallela (x18, x36, x72) 1,3 V, 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V Fino a 2.132 MT/s Connettività di rete, elaborazione delle immagini, strumentazione medicale, server aziendali, aerospazio e difesa

pSRAM

Infineon offre un portafoglio completo di memorie RAM pseudostatiche (pSRAM) HYPERRAM™/Octal xSPI con densità da 64 Mb a 512 Mb. Grazie all'esclusiva combinazione di alta larghezza di banda e interfacce a bassa piedinatura, HYPERRAM™ è ideale per un'ampia gamma di applicazioni industriali e automotive che richiedono una RAM aggiuntiva per il buffering di dati, audio, immagini, video o come memoria Appunti per operazioni matematiche e a uso intensivo di dati. Queste pSRAM efficienti dal punto di vista energetico sono anche la scelta di memoria di espansione ideale per i dispositivi consumer e indossabili alimentati a batteria.

HYPERRAM™ di Infineon opera su un'interfaccia DDR a basso numero di segnali chiamata HYPERBUS™ che consente di ottenere un throughput di lettura e scrittura ad alta velocità per pin del processore rispetto alle tecnologie concorrenti come le DRAM SDR.

Per un elenco completo dei prodotti pSRAM disponibili, fare clic qui.

Prodotti pSRAM

Caratteristiche principali

  • Opzioni a densità scalabile da 64 Mb a 512 Mb
  • Bus ottale xSPI o HYPERBUS™ a bassa piedinatura
  • Fattore di forma compatto di 6 x 8 mm
  • Frequenza operativa fino a 200 MHz DDR
  • Modalità di sospensione ibrida ad alta efficienza energetica
  • Supporto di temperatura di funzionamento fino a +125 °C

Vantaggi

  • Raggiunge un throughput di dati fino a 800 MB/s per il buffering ad alta velocità
  • Consuma meno pin del processore rispetto alla RAM di espansione della concorrenza
  • Risparmia spazio sulla scheda grazie al fattore di forma compatto da 48 mm2
  • Si abbina ai SoC basati su HYPERBUS™ dell'ampio ecosistema dei partner di chipset
  • Assicura una fornitura di prodotti e una longevità di oltre 10 anni
pSRAM
Famiglia di prodotti Densità Interfaccia Tensione Velocità Applicazioni di destinazione
HYPERRAM™ 2.0 64 Mb - 512 Gb HYPERBUS™ ottale xSPI 1,8 V, 3,0 V Fino a 400 MB/s Dispositivi indossabili, dispositivi IoT, display HMI, visione artificiale industriale, quadri di strumentazione automotive
HYPERRAM™ 3.0 256 Mb HYPERBUS™
x16 I/O est.		 1,8 V Fino a 800 MB/s Telecamere industriali per visione artificiale, dispositivi IoT, V2X per automotive