W66BM6NBUAFJ TR è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Equivalente parametrico

W66BQ6NBUAFJ TR
Winbond Electronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 4,65274
Scheda tecnica
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200WFBGA
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W66BM6NBUAFJ TR

Codice DigiKey
256-W66BM6NBUAFJTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Winbond Electronics
Codice produttore
W66BM6NBUAFJ TR
Descrizione
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
SDRAM - LPDDR4X mobile Memoria IC 2Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA (10x14.5)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Winbond Electronics
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Programmabile da DigiKey
Non verificato
Tipo di memoria
Volatile
Formato memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - LPDDR4X mobile
Dimensioni memoria
2Gbit
Organizzazione della memoria
128M x 16
Interfaccia di memoria
LVSTL_11
Frequenza di clock
1.6 GHz
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina
18ns
Tempo di accesso
3.5 ns
Tensione - Alimentazione
1,06 ~ 1,17V, 1,7 ~ 1,95V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
200-WFBGA
Contenitore del fornitore
200-WFBGA (10x14.5)
Codice componente base
W66BM6
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Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 5,18396€ 12 959,90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 5,18396
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 6,32443