Equivalente parametrico
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NLAS4783BMN1R2G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NLAS4783BMN1R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NLAS4783BMN1R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | NLAS4783BMN1R2G |
Descrizione | IC SWITCH SPDT X 3 1OHM 16QFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 3 Interruttore di circuito in CI 2:1 1ohm 16-QFN (3x3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NLAS4783BMN1R2G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Circuito di commutazione | SPDT | |
Circuito mux/demux | 2:1 | |
N. di circuiti | 3 | |
Resistenza nello stato On (max) | 1ohm | |
Concordanza canale-canale (ΔRon) | 400mohm (max) | |
Tensione - Alimentazione, singola (V+) | 1,65 ~ 4,5V | |
Tensione - Alimentazione, doppia (V±) | - | |
Tempo di commutazione (Ton, Toff) max | 27ns, 20ns | |
Larghezza di banda: -3dB | 17MHz | |
Iniezione di carica | 50pC | |
Capacità canale (CS(off), CD(off)) | 5pF | |
Corrente - Dispersione (IS(off)) max | 500nA | |
Diafonia | -62dB a 100kHz | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 16-VFQFN piazzola esposta | |
Contenitore del fornitore | 16-QFN (3x3) | |
Codice componente base |



