K4B4G1646E-BYK000 Samsung Semiconductor, Inc. | Circuiti integrati (CI)

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K4B4G1646E-BYK000
Codice DigiKey	5736-K4B4G1646E-BYK000-ND
Produttore	Samsung Semiconductor, Inc.
Codice produttore	K4B4G1646E-BYK000
Descrizione	DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Memoria IC 4Gbit Parallelo 800 MHz

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Produttore	Samsung Semiconductor, Inc.
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Attivo
Programmabile da DigiKey	Non verificato
Tipo di memoria	Volatile
Formato memoria	DRAM
Dimensioni memoria	4Gbit
Organizzazione della memoria	256M x 16
Interfaccia di memoria	Parallelo
Frequenza di clock	800 MHz
Tensione - Alimentazione	1,35V
Temperatura di funzionamento	0°C ~ 95°C
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	96-TFBGA