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AS4C32M16D1-5BINTR
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AS4C16M16D1-5BINTR

Codice DigiKey
AS4C16M16D1-5BINTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AS4C16M16D1-5BINTR
Descrizione
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
SDRAM - DDR Memoria IC 256Mbit Parallelo 200 MHz 700 ps 60-TFBGA (8x13)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
AS4C16M16D1-5BINTR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Programmabile da DigiKey
Non verificato
Tipo di memoria
Volatile
Formato memoria
Tecnologia
SDRAM - DDR
Dimensioni memoria
Organizzazione della memoria
16M x 16
Interfaccia di memoria
Parallelo
Frequenza di clock
200 MHz
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina
15ns
Tempo di accesso
700 ps
Tensione - Alimentazione
2,3 ~ 2,7V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
Contenitore del fornitore
60-TFBGA (8x13)
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 3,52446€ 8 811,15
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