Soluzioni IGBT ad alte prestazioni RGA80TxX2EHRC

I dispositivi RGA80TRX2EHRC15, RGA80TRX2HRC15, RGA80TSX2EHRC11 e RGA80TSX2HRC11 di ROHM Semiconductor sono transistor bipolari a gate isolato (IGBT) ad alte prestazioni. Questi IGBT sono progettati per offrire efficienza e affidabilità superiori nelle applicazioni automotive e industriali più esigenti. Caratterizzati da una tensione nominale di 1.200 V e da una capacità di corrente di 69 A, questi IGBT incorporano la tecnologia Field-Stop Trench, che assicura basse perdite di commutazione e di conduzione. Il diodo di recupero rapido (FRD) integrato migliora le prestazioni riducendo il tempo di recupero, rendendo questi IGBT ideali per le applicazioni che richiedono una commutazione ad alta velocità. Con una tolleranza ai cortocircuiti di 10 μs e la conformità agli standard AEC-Q101, questi IGBT offrono prestazioni e durata elevate. Il design compatto del contenitore TO-247 ne facilita l'integrazione in vari sistemi, assicurando una gestione termica ottimale e l'efficienza dello spazio.