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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TK12E80W,S1X | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | TK12E80WS1X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TK12E80W,S1X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 11,5 A (Ta) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | TK12E80W,S1X Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 570µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 300 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 165W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur 150°C |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 5,8A, 10V |
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Ersatzartikel (8)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R600P7XKSA1-ND | € 0,00000 | Ähnlich |
| IXFP14N60P | IXYS | 0 | IXFP14N60P-ND | € 2,73403 | Ähnlich |
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| IXTP14N60PM | IXYS | 0 | IXTP14N60PM-ND | € 2,39807 | Ähnlich |
| IXTP18N60PM | IXYS | 0 | IXTP18N60PM-ND | € 2,13700 | Ähnlich |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 4,89000 | € 4,89 |
| 50 | € 2,55700 | € 127,85 |
| 100 | € 2,33160 | € 233,16 |
| 500 | € 1,93672 | € 968,36 |
| 1 000 | € 1,80995 | € 1 809,95 |
| 2 000 | € 1,71574 | € 3 431,48 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 4,89000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 5,96580 |
