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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP60R600P7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP60R600P7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R600P7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 6 A (Tc) 30W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R600P7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 1,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 80µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
363 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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