Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich

SIHP6N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP6N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP6N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP6N65E-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 820 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 78W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 3A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP14N60P | IXYS | 0 | IXFP14N60P-ND | € 2,73403 | Ähnlich |
| IXTP14N60P | IXYS | 177 | IXTP14N60P-ND | € 5,71000 | Ähnlich |
| SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | 135 | 448-SPA11N80C3XKSA2-ND | € 2,96000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 000 | € 0,91619 | € 916,19 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,91619 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 1,11775 |



