IXTP18N60PM IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

IXTP18N60PM ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP18N60PM
DigiKey-Teilenr.	IXTP18N60PM-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP18N60PM
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	420mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2500 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	90W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220, isolierte Fahne
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 Full Pack, isolierte Fahne
Basis-Produktnummer	IXTP18