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N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXFP8N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXFP8N65X2-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFP8N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
450mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
790 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXFP8N65
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