FET- und MOSFET-Arrays

Resultate : 5 600
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Verpackung
BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (Siliziumkarbid)Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N- und 2 P-Kanal (Vollbrücke)2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N- und 2 P-Kanal2 N-Kanal (Dual), P-Kanal2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin2 N-Kanal, gemeinsamer Drain-Anschluss2 N-Kanäle
FET-Merkmal
-Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 10V-BetriebLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit VerarmungsschichtSiliziumkarbid (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,46mOhm bei 160A, 12V0,762mOhm bei 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.710mOhm @ 160A, 12V0,8mOhm bei 1200A, 10V0,88mOhm bei 160A, 14V, 0,71mOhm bei 160A, 14V0.88mOhm @ 50A, 10V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V0,99mOhm bei 80A, 10V, 1,35mOhm bei 80A, 10V1,039mOhm bei 160A, 12V, 762µOhm bei 160A, 12V1,2mOhm bei 800A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA200mV bei 2,8A, 200mV bei 1,9A220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V0,28nC bei 4,5V0,28nC bei 4,5V, 0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V, 0,28nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V0,32nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V5pF bei 3V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V
Leistung - Max.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C (Tc)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (TA)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Serie
Verpackung
Produktstatus
Technologie
Konfiguration
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
179 499
Vorrätig
1 : € 0,31000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,05685
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-60V230mA7,5Ohm bei 50mA, 5V2V bei 250µA-50pF bei 25V310mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 363
DMC2004DWK-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
259 487
Vorrätig
135 000
Fabrik
1 : € 0,32000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,09696
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate20V540mA, 430mA550mOhm bei 540mA, 4,5V1V bei 250µA-150pF bei 16V250mW-65°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71 826
Vorrätig
1 : € 0,32000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,08758
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V610mA (Ta)396mOhm bei 500mA, 4,5V1V bei 250µA2nC bei 8V43pF bei 10V220mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT 363
BSS84DW-7-F
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
Diodes Incorporated
89 895
Vorrätig
1 : € 0,33000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,09079
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate50V130mA10Ohm bei 100mA, 5V2V bei 1mA-45pF bei 25V300mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
60 474
Vorrätig
1 : € 0,33000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,08903
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-30V250mA1,5Ohm bei 10mA, 4V1,5V bei 100µA1,3nC bei 5V33pF bei 5V272mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
28 579
Vorrätig
1 : € 0,33000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,05959
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V320mA1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0,8nC bei 4,5V50pF bei 10V420mW150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q100Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
360 100
Vorrätig
1 : € 0,34000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06136
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 1mA-12pF bei 10V300mW150°C--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251 547
Vorrätig
12 500
Fabrik
1 : € 0,34000
Gurtabschnitt (CT)
2 500 : € 0,09195
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V3,9A70mOhm bei 5,3A, 10V3V bei 250µA11nC bei 10V563pF bei 25V1,1W-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
108 212
Vorrätig
1 : € 0,35000
Gurtabschnitt (CT)
8 000 : € 0,07508
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 0,9V50V200mA2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-26pF bei 10V120mW150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56 537
Vorrätig
1 : € 0,36000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,07896
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate30V3,8 A, 2,5 A55mOhm bei 3,4A, 10V1,5V bei 250µA12,3nC bei 10V422pF bei 15V850mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-6 dünn, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
30 209
Vorrätig
1 : € 0,36000
Gurtabschnitt (CT)
4 000 : € 0,09750
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate20V540mA, 430mA550mOhm bei 540mA, 4,5V1V bei 250µA2,5nC bei 4,5V150pF bei 16V250mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
173 739
Vorrätig
2 766 000
Fabrik
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06641
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate20V1,03A, 700 mA480mOhm bei 200mA, 5V900mV bei 250µA0,5nC bei 4,5V37,1pF bei 10V450mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
66 177
Vorrätig
372 000
Fabrik
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,09969
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-60V280mA7,5Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 250µA-50pF bei 25V150mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
52 007
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,09954
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanäle-30V5A32mOhm bei 5,8A, 10V1,5V bei 250µA-1155pF bei 15V1,4W-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-VDFN mit freiliegendem PadDFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
29 681
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,12381
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V370mA1,4Ohm bei 340mA, 10V2,5V bei 250µA1,4nC bei 10V18,5pF bei 30V510mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
25 941
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,12573
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)-30V6,2A30mOhm bei 5,8A, 10V2V bei 250µA10,6nC bei 10V500pF bei 15V1W-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-UDFN mit freiliegendem PadU-DFN2020-6 (Typ B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
104 879
Vorrätig
1 : € 0,38000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06821
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V300mA3Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0,6nC bei 10V20pF bei 25V500mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
68 917
Vorrätig
1 : € 0,38000
Gurtabschnitt (CT)
4 000 : € 0,06858
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V100mA4Ohm bei 10mA, 4V1,5V bei 100µA-8,5pF bei 3V150mW150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
66 292
Vorrätig
1 : € 0,38000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06758
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate50V160mA7,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0,35nC bei 5V36pF bei 25V445mW-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1 894
Vorrätig
1 : € 0,38000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,10217
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-KanalLogikpegel-Gate30V700mA, 500mA388mOhm bei 600mA, 10V2,5V bei 250µA1,5nC bei 10V28pF bei 15V340mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
350 088
Vorrätig
1 : € 0,39000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,06932
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V320mA1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0,8nC bei 4,5V50pF bei 10V420mW150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257 413
Vorrätig
1 : € 0,39000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,07047
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V300mA (Ta)1,6Ohm bei 500mA, 10V2,1V bei 250µA0,6nC bei 4,5V50pF bei 10V295mW150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
173 222
Vorrätig
1 : € 0,39000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,13206
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)N- und P-Kanal, gemeinsamer Drain-AnschlussLogikpegel-Gate30V6 A, 5,5 A30mOhm bei 6A, 10V2,4V bei 250µA6,3nC bei 10V310pF bei 15V2W-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
121 831
Vorrätig
1 : € 0,39000
Gurtabschnitt (CT)
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate50V510mA2Ohm bei 510mA, 10V2,5V bei 250µA1nC bei 10V20pF bei 25V700mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-6 dünn, TSOT-23-6SuperSOT™-6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
71 478
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Nicht für NeukonstruktionenMOSFET (Metalloxid)2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V860mA350mOhm bei 200mA, 4,5V1,5V bei 250µA0,72nC bei 4,5V34pF bei 20V410mW-55°C bis 150°C (TJ)--Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
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FET- und MOSFET-Arrays


Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.