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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHP7N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP7N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP7N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 25 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP7N60E-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 600mOhm bei 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 680 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 1 230
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,44000 | € 2,44 |
| 10 | € 1,57800 | € 15,78 |
| 100 | € 1,08680 | € 108,68 |
| 500 | € 0,87672 | € 438,36 |
| 1 000 | € 0,80921 | € 809,21 |
| 2 000 | € 0,75244 | € 1 504,88 |
| 5 000 | € 0,72875 | € 3 643,75 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,44000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,97680 |
Italien