Name: STP11N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16932-ND
Price: 2.5132 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP11N60DM2
DigiKey-Teilenr.	497-16932-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STP11N60DM2
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STP11N60DM2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	420mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	614 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	STP11

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 2,06000	€ 2,06
50	€ 1,00560	€ 50,28
100	€ 0,90280	€ 90,28
500	€ 0,72270	€ 361,35
1 000	€ 0,66480	€ 664,80
2 000	€ 0,61611	€ 1 232,22
5 000	€ 0,57803	€ 2 890,15

Standardverpackung des Herstellers

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