STP11N65M5 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

AOT11S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 995
Stückpreis : € 2,90000
Datenblatt

Ähnlich

AOT11S65L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
Datenblatt

Ähnlich

AOT7S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
Datenblatt

Ähnlich

FCP600N60Z
onsemi
Vorrätig: 143
Stückpreis : € 2,69000
Datenblatt

Ähnlich

IPP65R420CFDXKSA1
Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 28 833
Stückpreis : € 1,45444
Datenblatt

Ähnlich

IXFP8N65X2
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,55857
Datenblatt

Ähnlich

IXTP14N60PM
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,91330
Datenblatt

Ähnlich

IXTP18N60PM
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 2,16387

Ähnlich

IXTP8N65X2M
IXYS
Vorrätig: 11
Stückpreis : € 3,49000
Datenblatt

Ähnlich

IXTP8N70X2
IXYS
Vorrätig: 26
Stückpreis : € 4,45000
Datenblatt

Ähnlich

IXTP8N70X2M
IXYS
Vorrätig: 12
Stückpreis : € 3,76000
Datenblatt

Ähnlich

SIHP6N65E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,83168
Datenblatt
Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen
N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP11N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-13170-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP11N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP11N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
480mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
644 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP11
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

0 auf Lager
Informationen zur Lieferzeit
Bestandsbenachrichtigung anfordern
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,15000€ 2,15
50€ 1,05480€ 52,74
100€ 0,94800€ 94,80
500€ 0,76048€ 380,24
1 000€ 0,70022€ 700,22
2 000€ 0,64955€ 1 299,10
5 000€ 0,61501€ 3 075,05
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:€ 2,15000
Stückpreis mit MwSt.:€ 2,62300