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STP11NM60ND ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
STP11NM60ND | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-8442-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP11NM60ND |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP11NM60ND Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 450mOhm bei 5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 850 pF @ 50 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
Italien