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TO-220-3
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STP12N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-10304-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP12N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 8,5 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
430mOhm bei 4,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
900 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP12
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