SIHP22N60E-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

SIHG22N60E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 495
Stückpreis : € 4,61000
Datenblatt

Ähnlich

AOT20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 1 248
Stückpreis : € 3,64000
Datenblatt

Ähnlich

AOT27S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 3 148
Stückpreis : € 3,63000
Datenblatt

Ähnlich

FCP170N60
onsemi
Vorrätig: 790
Stückpreis : € 3,73000
Datenblatt

Ähnlich

FCP190N60E
onsemi
Vorrätig: 1 444
Stückpreis : € 4,23000
Datenblatt

Ähnlich

FCP190N65F
onsemi
Vorrätig: 1 659
Stückpreis : € 4,65000
Datenblatt

Ähnlich

FCP20N60
onsemi
Vorrätig: 1 798
Stückpreis : € 5,37000
Datenblatt

Ähnlich

FCP22N60N
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
Datenblatt

Ähnlich

IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 500
Stückpreis : € 3,55000
Datenblatt

Ähnlich

IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 260
Stückpreis : € 3,93000
Datenblatt

Ähnlich

IPP65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,23644
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Ähnlich

IXFP22N65X2
IXYS
Vorrätig: 4 398
Stückpreis : € 5,50000
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Ähnlich

IXFP24N60X
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 2,66840

Ähnlich

IXTP24N65X2
IXYS
Vorrätig: 255
Stückpreis : € 5,86000
Datenblatt
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TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB

SIHP22N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP22N60E-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHP22N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
E
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1920 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SIHP22
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100€ 2,02570€ 202,57
500€ 1,67658€ 838,29
1 000€ 1,56546€ 1 565,46
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