Name: IPP65R190C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R190C6XKSA1-ND
Price: 1.50846 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP65R190C6XKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP65R190C6XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP65R190C6XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP65R190C6XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 7,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 730µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	73 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1620 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	151W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP65R190

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