Name: FCP190N60E
Brand: onsemi
SKU: FCP190N60EOS-ND
Price: 5.1606 EUR
Availability: InStock

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FCP190N60E
DigiKey-Teilenr.	FCP190N60EOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FCP190N60E
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	SuperFET® II
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3175 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	FCP190

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 4,23000	€ 4,23
50	€ 2,19280	€ 109,64
100	€ 1,99580	€ 199,58
500	€ 1,65084	€ 825,42
1 000	€ 1,54006	€ 1 540,06
2 000	€ 1,53750	€ 3 075,00

Standardverpackung des Herstellers

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