IPP65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

IPP65R420CFDXKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP65R420CFDXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP65R420CFDXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP65R420CFDXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 8,7 A (Tc) 83,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	420mOhm bei 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 340µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	870 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	83,3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP65R420