Name: STGWA80H65DFBAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGWA80H65DFBAG-ND
Price: 6.954 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STGWA80H65DFBAG
DigiKey-Teilenr.	497-STGWA80H65DFBAG-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STGWA80H65DFBAG
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 120 A 535 W Durchkontaktierung TO-247 lange Anschlüsse
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	120 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	240 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2V bei 15V, 80A
Leistung - Max.	535 W
Schaltenergie	3,26mJ (Ein), 2,33mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	453 nC
Td (on/off) bei 25°C	-/360ns
Testbedingung	400V, 80A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	64 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 lange Anschlüsse
Basis-Produktnummer	STGWA80

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 5,70000	€ 5,70
30	€ 3,25667	€ 97,70
120	€ 2,71958	€ 326,35
510	€ 2,32596	€ 1 186,24
1 020	€ 2,29194	€ 2 337,78

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