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IGBTs


IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) sind mehrschichtige Halbleiterbauelemente mit drei Anschlüssen, die hohe Ströme verarbeiten können und schnelle Schalteigenschaften haben. Sie sind gekennzeichnet durch Typ, Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung, Kollektorstrom, gepulsten Kollektorstrom, VCE(ON), Schaltenergie und Gate-Ladung.