Name: S2M0160120J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0160120J-ND
Price: 6.6856 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S2M0160120J
DigiKey-Teilenr.	1655-S2M0160120J-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S2M0160120J
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 16 A (Tc) 122W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	196mOhm bei 10A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26.5 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	513 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	122W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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10	€ 3,68700	€ 36,87
100	€ 2,66640	€ 266,64
500	€ 2,23146	€ 1 115,73
1 000	€ 2,18019	€ 2 180,19

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