N-Kanal 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
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S2M0160120D

DigiKey-Teilenr.
1655-S2M0160120D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
S2M0160120D
Beschreibung
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 2,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
26.5 nC @ 20 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
513 pF @ 1000 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
196mOhm bei 10A, 20V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 234
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,74000€ 4,74
10€ 3,15500€ 31,55
300€ 1,97520€ 592,56
600€ 1,83497€ 1 100,98
1 200€ 1,71711€ 2 060,53
2 100€ 1,64679€ 3 458,26
Standardverpackung des Herstellers
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