
S2M0160120D | |
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DigiKey-Teilenr. | 1655-S2M0160120D-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | S2M0160120D |
Beschreibung | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 2,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 26.5 nC @ 20 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +20V, -5V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 513 pF @ 1000 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 130W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 196mOhm bei 10A, 20V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 4,74000 | € 4,74 |
| 10 | € 3,15500 | € 31,55 |
| 300 | € 1,97520 | € 592,56 |
| 600 | € 1,83497 | € 1 100,98 |
| 1 200 | € 1,71711 | € 2 060,53 |
| 2 100 | € 1,64679 | € 3 458,26 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 4,74000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 5,78280 |


