Name: S2M0080120J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0080120J-ND
Price: 9.5404 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S2M0080120J
DigiKey-Teilenr.	1655-S2M0080120J-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S2M0080120J
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 37A (Tj) 234W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	37A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	54 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1324 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	234W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

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10	€ 5,35300	€ 53,53
100	€ 3,95810	€ 395,81
500	€ 3,48742	€ 1 743,71

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