Name: FGY100T65SCDT
Brand: onsemi
SKU: FGY100T65SCDT-ND
Price: 14.9206 EUR
Availability: InStock

IGBT Trench Feldstopp 650 V 200 A 750 W Durchkontaktierung TO-247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FGY100T65SCDT
DigiKey-Teilenr.	FGY100T65SCDT-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FGY100T65SCDT
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 200 A 750 W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FGY100T65SCDT Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	200 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	300 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 100A
Leistung - Max.	750 W
Schaltenergie	5,4mJ (Ein), 3,8mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	157 nC
Td (on/off) bei 25°C	84ns/216ns
Testbedingung	400V, 100A, 4,7Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	62 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3 Variante
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Basis-Produktnummer	FGY100

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30	€ 7,45600	€ 223,68
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