N-Kanal 650 V 14,9 A (Tc) 39W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
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FCPF150N65F

DigiKey-Teilenr.
FCPF150N65FOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
FCPF150N65F
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Standardlieferzeit des Herstellers
28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 14,9 A (Tc) 39W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
FCPF150N65F Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
14,9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 2,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3737 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
FCPF150
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